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    A polylogarithmic model for thin-film transistors used in a CMOS inverter amplifier.
    Ortiz-Conde, Adelmo ; Ávila-Avendaño, Carlos ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 188 (2022-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    6MV LINAC characterization of a MOSFET dosimeter fabricated in a CMOS process.
    Garcia-Inza, M. ; Cassani, M. ; et al.
    In: Radiation Measurements, Jg. 117 (2018-10-01), S. 63-69
    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Development of a simulator for analyzing some performance parameters of nanoscale strained silicon MOSFET-based CMOS inverters.
    Kumar, Subindu ; Kumari, Amrita ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 55 (2016-09-01), S. 8-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Substrate noise isolation improvement in a single-well standard CMOS process.
    Mendonça dos Santos, P. ; Mendes, Luís ; et al.
    In: Integration: The VLSI Journal, Jg. 52 (2016), S. 122-128
    academicJournal
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    Design methodology for MOSFET-based voltage reference circuits implemented in 28 nm CMOS technology.
    Mohammed, Mahmood ; Abugharbieh, Khaldoon ; et al.
    In: AEU: International Journal of Electronics & Communications, Jg. 70 (2016-05-01), Heft 5, S. 568-577
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    Future of nano CMOS technology.
    Iwai, Hiroshi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 112 (2015-10-01), S. 56-67
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Charge pumping test technique using CMOS ring oscillator on leakage issue.
    Liu, Yongbo ; Zhu, Zhengyong ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 68 (2017-10-01), S. 40-43
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Integration of MOSFET/MIM Structures Using a CMOS-Based Technology for pH Detection Applications with High-Sensitivity.
    Molina, Joel ; Torres, Alfonso ; et al.
    In: Procedia Chemistry, Jg. 6 (2012-06-01), S. 110-116
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Influences of silicon-rich shallow trench isolation on total ionizing dose hardening and gate oxide integrity in a 130 nm partially depleted SOI CMOS technology.
    Song, Lei ; Hu, Zhiyuan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 74 (2017-07-01), S. 1-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18μm CMOS process
    Martin, P. ; Royet, A.S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 62 (2011-08-01), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
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    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    Djeffal, F. ; Chahdi, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 26-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability
    Shin, Changhwan ; Tsai, Chen Hua ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 65-66 (2011-11-01), S. 184-190
    academicJournal
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    Dual strained channel CMOS in FDSOI architecture: New insights on the device performance
    Le Royer, C. ; Cassé, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 65-66 (2011-11-01), S. 9-15
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Interfaces and performance: What future for nanoscale Ge and SiGe based CMOS?
    Le Royer, C.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-07-01), Heft 7, S. 1541-1548
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS readout circuitry for ISFET microsystems
    Morgenshtein, Arkadiy ; Sudakov-Boreysha, Liby ; et al.
    In: Sensors & Actuators B: Chemical, Jg. 97 (2004), Heft 1, S. 122-131
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Comparative analysis of radiation tolerant analog circuit layout in 180 nm CMOS technology for space application.
    Malik, Munish ; Prakash, Neelam R. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 131 (2023), S. N.PAG
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Breakdowns in high-k gate stacks of nano-scale CMOS devices
    Pey, K.L. ; Ranjan, R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 80 (2005-06-01), S. 353-361
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Comparative study of low-frequency noise in 0.18 μm and 0.35 μm gate-length nMOSFETs with gate area of 1.1 μm2.
    Hu, Chih-Chan ; Chau, Yuan-Fong Chou ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 60 (2016-05-01), S. 10-15
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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