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    Fluctuation analysis and experimental evaluation of an inductor-less battery charge equalization circuit with a CMOS cross-coupled structure
    Eguchi, Kei ; Nakashima, Daigo
    In: Energy Reports, Jg. 9 (2023-09-01), S. 214-223
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    A high-speed 13-bit two-step single-slope ADC for large array CMOS image sensors
    Xu, Ruiming ; Guo, Zhongjie ; et al.
    In: Integration, Jg. 91 (2023-07-01), S. 119-125
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    An ultra-low power dissipation CMOS temperature sensor with an inaccuracy of ±0.15 °C (3δ) from −40 °C to 125 °C
    Liu, Yuntao ; Fang, Shuo ; et al.
    In: Integration, Jg. 91 (2023-07-01), S. 54-59
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    A CMOS transimpedance amplifier with broad-band and high gain based on negative Miller capacitance
    Zhang, Jiahong ; Wang, Zhuo ; et al.
    In: Integration, Jg. 91 (2023-07-01), S. 60-66
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    A low offset low power CMOS dynamic comparator for analog to digital converters
    Huijing, Yang ; Shichang, Li ; et al.
    In: Integration, Jg. 91 (2023-07-01), S. 136-143
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    Memristor emulation and analog application using differential difference current conveyor of CC-II in CMOS technology
    Ahmer, Mohd. ; Kidwai, N.R. ; et al.
    In: Materials Today: Proceedings, Jg. 51 (2022), S. 234-239
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    Cu based electrically programmable fuse characteristics for CMOS technology
    Kim, Honggyun ; Aziz, Jamal ; et al.
    In: Current Applied Physics, Jg. 49 (2023-05-01), S. 127-131
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    A 2xVDD digital output buffer with gate driving stability and non-overlapping signaling control for slew-rate auto-adjustment using 16-nm FinFET CMOS process
    Wang, Chua-Chin ; Lean Karlo S. Tolentino ; et al.
    In: Integration, Jg. 90 (2023-05-01), S. 245-260
    Online unknown
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    Crystal violet as CMOS-compatible alkali-free promoter for CVD growth of MoSe2 monolayers: Comparative surface analysis with alkali-based promoter
    Su Jin Kim ; Gwang Hwi An ; et al.
    In: Current Applied Physics, Jg. 48 (2023-04-01), S. 106-113
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design trends of LC-tank based CMOS ILFD for SHF and EHF transceiver applications
    Mohammad Shahriar Khan Hemel ; Md. Rownak Hossain ; et al.
    In: Alexandria Engineering Journal, Jg. 67 (2023-03-01), S. 301-342
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 1Gpixel 10FPS CMOS image sensor using pixel array high-speed readout technology
    Guo, Zhongjie ; Cheng, Xinqi ; et al.
    In: Integration, Jg. 89 (2023-03-01), S. 114-122
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS
    Zhang, Yuejun ; Wang, Pengjun ; et al.
    In: Integration, Jg. 78 (2021-05-01), S. 135-143
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    A highly-linear, sub-mW LNA at 2.4 GHz in 40 nm CMOS process
    Didem Erol As ; Mustafa Berke Yelten
    In: Integration, Jg. 88 (2023), S. 278-285
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Memristor-Based CMOS Hybrid Circuit Design and Analysis
    Vishwakarma, Abhinav ; Kwame Owusu Ampadu ; et al.
    In: Procedia Computer Science, Jg. 218 (2023), S. 563-573
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 28-GHz wideband power amplifier with dual-pole tuning superposition technique in 55-nm RF CMOS
    Zhao, Yunan ; Hou, Haomin ; et al.
    In: Integration, Jg. 88 (2023), S. 101-107
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Comparison of parameters of ring and LC-tank digitally controlled oscillators in 0.13 µm CMOS
    Jurgo, Marijan ; Kiela, Karolis ; et al.
    In: Procedia Computer Science, Jg. 184 (2021), S. 17-23
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A comparative study of stability of switching voltage of CMOS inverters over wide operating temperatures
    Joseph, George M. ; T. A. Shahul Hameed
    In: Materials Today: Proceedings, Jg. 43 (2021), S. 3675-3678
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design of down conversion ring mixer using 45 nm Metal gate High-K Strained-Si CMOS Technology for RF applications
    Chaturvedi, Abhay
    In: Materials Today: Proceedings, Jg. 37 (2021), S. 835-839
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    28 nm CMOS analog front-end channels for future pixel detectors
    Gaioni, L. ; Fratus, M. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Jg. 1045 (2023), S. 167609-167609
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    DCR and crosstalk characterization of a bi-layered 24 × 72 CMOS SPAD array for charged particle detection
    Torilla, G. ; Minga, J. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Jg. 1046 (2023), S. 167693-167693
    Online unknown
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