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    Comparison of parameters of ring and LC-tank digitally controlled oscillators in 0.13 µm CMOS
    Jurgo, Marijan ; Kiela, Karolis ; et al.
    In: Procedia Computer Science, Jg. 184 (2021), S. 17-23
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    Contrast of latch-up induced by pulsed gamma rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation
    Yang, Shanchao ; Chen, Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 98 (2019-07-01), S. 42-48
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    A 68-nW novel CMOS sub-bandgap voltage reference circuit
    Wang, Zhen ; Lei, Jianming ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 89 (2019-07-01), S. 37-40
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    Determination of DC equivalent hot carrier stress times in scaled CMOS devices using novel AC stress methodology
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 93 (2019-02-01), S. 98-101
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    Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Nam-Ho ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 200 (2018-11-01), S. 45-50
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    Analysis of Total Ionizing Dose effects for highly scaled CMOS devices in Low Earth Orbit
    Frank Sill Torres ; Hanif, Muhammad ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Jg. 428 (2018-08-01), S. 30-37
    Online unknown
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    A novel 0.84 ppm/°C CMOS curvature-compensated bandgap with 1.2 V supply voltage
    Yan, Xiaobing ; Xu, Huachao ; et al.
    In: AEU - International Journal of Electronics and Communications, Jg. 91 (2018-07-01), S. 66-74
    Online unknown
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    A compact low loss high isolation DC-45GHz SPST switch in 0.13-μm CMOS process
    Yang, Hong-Qiang ; Gong, Min ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 80 (2018-10-01), S. 1-6
    Online unknown
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    Radiation hardness test and characterization of a low-noise front-end readout ASIC in 180 nm CMOS technology for space X-ray survey
    Gao, W. ; Yao, Yuan ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Jg. 898 (2018-08-01), S. 117-124
    Online unknown
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    A DC-2.5 GHz high linearity CMOS attenuator in a 0.18µm technology
    Jia, Hongting ; Pokharel, Ramesh K. ; et al.
    In: Procedia Manufacturing, Jg. 22 (2018), S. 591-597
    Online unknown
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    Investigation of negative DIBL effect for ferroelectric-based FETs to improve MOSFETs and CMOS circuits
    Li, Yangyang ; Wu, Zhenhua ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 114 (2021-08-01), S. 105110-105110
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 2.1 ppm/°C, 0.55–2.4 V, 5.6 nW, 235 mV, CMOS-only subthreshold voltage reference
    Duan, Quanzhen ; Meng, Zhen ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 113 (2021-07-01), S. 105060-105060
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
    Safonov, Sergey O. ; Stakhin, Veniamin G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 416-425
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Si light-emitting device in integrated photonic CMOS ICs
    Xu, Kaikai ; Aharoni, Herzl ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 69 (2017-07-01), S. 274-282
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 1.2 V, 3.0 ppm/°C, 3.6 μA CMOS bandgap reference with novel 3-order curvature compensation
    Zhu, Zhangming ; Yang, Yintang ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 72 (2018-02-01), S. 49-57
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 0.13-μm CMOS resonator-based frequency-doubling mechanism for clock recovery in a full-rate 40 Gb/s optical receiver
    Fariborz Lohrabi Pour ; Chong, Joseph ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 114 (2021-08-01), S. 105137-105137
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Single Event Effects in 0.18 μm Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SEU and SEFI
    Feng, Jie ; Zhou, Dong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01), S. 114038-114038
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Comprehensive understanding of dark count mechanisms of single-photon avalanche diodes fabricated in deep sub-micron CMOS technologies
    Xu, Yux ; Xiang, Ping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 168-174
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A high-speed lateral PIN polysilicon photodiode on standard bulk CMOS process
    Chen, Diping ; Zeng, Yun ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 61-65
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    Radiation tolerance study of a commercial 65 nm CMOS technology for high energy physics applications
    Ding, Lili ; Gerardin, Simone ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Jg. 831 (2016-09-01), S. 265-268
    Online unknown
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