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    High-pressure phase behavior of the systems polyethylene + ethylene and polybutene + 1-butene
    KOAK, N ; VISSER, R. M ; et al.
    In: Proceedings of the eighth international conference on properties and phase equilibria for product and process design, Noordwijkerhout, The Netherlands, April 26-May 1, 1998, Jg. 158-60 (1999), S. 835-846
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High pressure solid-fluid and vapour-liquid equilibria in model hyperbaric fluids : the system methane + tetracosane + triacontane
    MACHADO, J. J. B ; DE LOOS, Th. W
    In: Proceedings of the Tenth International Conference on Properties and Phase Equilibria for Product and Process Design, Jg. 228-29 (2005), S. 261-268
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Thin epitaxial si films as a passivation method for Ge(100) : Influence of deposition temperature on ge surface segregation and the high-k/Ge interface quality
    LEYS, F. E ; BONZOM, R ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 679-684
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The formation of crystalline P3HT fibrils upon annealing of a PCBM:P3HT bulk heterojunction
    SAVENIJE, Tom J ; KROEZE, Jessica E ; et al.
    In: Proceedings of Symposium F on Thin Film and Nanostructured Materials for Photovoltaics, EMRS 2005 Conference, Strasbourg, France, May 31-June 3, Jg. 511-12 (2006), S. 2-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Radiation damage in electron-irradiated strained Si n-MOSFETs
    TAKAKURA, K ; OHYAMA, H ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 732-736
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Polymeric nanocoatings by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD)
    LAU, Kenneth K. S ; YU, MAO ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004, Jg. 501 (2006), Heft 1-2, S. 211-215
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Non-selective thin SiGe strain-relaxed buffer layers : Growth and carbon-induced relaxation
    CAYMAX, Matty ; DELHOUGNE, Romain ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 260-265
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Growth of strained Si on He ion implanted Si/SiGe heterostructures
    BUCA, D ; FESTE, S. F ; et al.
    In: 2005 ULIS Conference. Selected papers, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 32-37
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Epitaxy solutions for Ge MOS technology
    LEYS, F. E ; BONZOM, R ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characteristics of selective epitaxial SiGe deposition processes for recessed source/drain applications
    LOO, Roger ; VERHEYEN, Peter ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 266-269
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Three and four phase predictions for polyethylene + hydrocarbon systems
    KKENZ, R. A ; HEIDEMANN, R. A ; et al.
    In: Proceedings of the Tenth International Conference on Properties and Phase Equilibria for Product and Process Design, Jg. 228-29 (2005), S. 427-437
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High pressure solid-fluid and vapour-liquid equilibria in model hyperbaric fluids: the system methane + tetracosane + triacontane
    MACHADO, J. J. B ; DE LOOS, Th. W
    In: Fluid phase equilibria, Jg. 226 (2004), S. 83-90
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structure and properties of CrSi2/Si multilayers
    DECKER, D ; LOOS, E ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 331-335
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Liquid-vapour and solid-fluid equilibria for the system methane + triacontane at high temperature and high pressure
    MACHADO, J. J. B ; DE LOOS, Th. W
    In: Proceedings of the Fifteenth Symposium on Thermophysical Properties, Boulder, Colorado, U.S.A., June 22-27, 2003, Jg. 222-23 (2004), S. 261-267
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High pressure phase behaviour of binary systems of refrigerants and phenylalkanes: the system 1,1,1,2-tetrafluoroethane + phenyloctane
    POOT, Wim ; DE LOOS, Theo W
    In: Proceedings of the Fifteenth Symposium on Thermophysical Properties, Boulder, Colorado, U.S.A., June 22-27, 2003, Jg. 222-23 (2004), S. 255-259
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Formation of ternary Ni-silicide on relaxed and strained SiGe layers
    ZHAO, Q. T ; BUCA, D ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 285-289
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Fabrication of 50 nm high performance strained-SiGe pMOSFETs with selective epitaxial growth
    LOO, Roger ; COLLAERT, Nadine ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Development of a new type of SiGe thin strain relaxed buffer based on the incorporation of a carbon-containing layer
    DELHOUGNE, Romain ; MEUNIER-BEILLARD, Philippe ; et al.
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 91-94
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characterization of poly(p-phenylene vinylene)/methanofullerene blends of polymer solar cells by time-of-flight secondary ion mass spectrometry
    BULLE-LIEUWMA, C. W. T ; VAN DUREN, J. K. J ; et al.
    In: Secondary ion mass spectrometry SIMS XIV: Proceedings of the Fourteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics, San Diego, California, USA, September 14-19, 2003, Jg. 231-32 (2004), S. 274-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Avoiding loading effects and facet growth key parameters for a successful implementation of selective epitaxial SiGe deposition for HBT-BiCMOS and high-mobility hetero-channel pMOS devices
    LOO, Roger ; CAYMAX, Matty
    In: Proceedings of the First International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2003), From Materials and Process Technology to Device and Circuit Technology Nagoya University Symposion, Jg. 224 (2004), Heft 1-4, S. 24-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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