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    Negative Bias Temperature Instability in CMOS Devices
    MAHAPATRA, S ; ALAM, M. A ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 114-121
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Breakdowns in high-k gate stacks of nano-scale CMOS devices
    PEY, K. L ; RANJAN, R ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 353-361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature instability of advanced SOI CMOS transistors
    IOANNOU, D. P ; IOANNOU, D. E
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 268-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs
    CHENG, W ; TERAMOTO, A ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2105-2108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A spice-like reliability model for deep-submicron CMOS technology
    CUI, Z ; LIOU, J. J
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 10, S. 1702-1707
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Positive Bias Temperature Instability in nMOSFETs with ultra-thin Hf-silicate gate dielectrics
    CRUPI, F ; PACE, C ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 130-133
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Incidence of oxide and interface degradation on MOSFET performance
    CESTER, A ; BANDIERA, L ; et al.
    In: INFOS 2003 Proceedings of the 13th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors: June 18-20, Jg. 72 (2004), Heft 1-4, S. 66-70
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Contributions of the gate current and channel current variation to the post-breakdown MOSFET performance
    FERNANDEZ, R ; RODRIGUEZ, R ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 2, S. 259-262
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET output characteristics after oxide breakdown
    FERNANDEZ, R ; RODRIGUEZ, R ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 84 (2007), Heft 1, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scaling properties of the tunneling field effect transistor (TFET) : Device and circuit
    NIRSCHL, Th ; HENZLER, St ; et al.
    In: 2005 ULIS Conference. Selected papers, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 44-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of plasma process-induced damage on bias temperature instability of MOSFETs
    JANG, T. S ; HA, M. H ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 3, S. 415-422
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Process damage-free damascene metal gate technology for gentle integration of epitaxially grown high-k : Advanced gate stack technology (ISAGST)
    ENDRES, Ralf ; STEFANOV, Yordan ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 1, S. 15-19
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact strain engineering on gate stack quality and reliability
    CLAEYS, C ; SIMOEN, E ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1115-1126
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A novel source/drain on void (SDOV) MOSFET implemented by local co-implantation of hydrogen and helium
    DAKE, WU ; RU, HUANG ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 7, S. 1490-1494
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Universal MOSFET gate impedance model for 200 MHz-20 GHz frequency range
    BANDI, Sri Priya R ; WASHBURN, Clyde ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 7-8, S. 1450-1460
    academicJournal
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    The temperature mobility degradation influence on the zero temperature coefficient of partially and fully depleted SOI MOSFETs
    CAMILLO, L. M ; MARTINO, J. A ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 37 (2006), Heft 9, S. 952-957
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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