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    A design oriented charge-based current model for symmetric DG MOSFET and its correlation with the EKV formalism
    SALLESE, Jean-Michel ; KRUMMENACHER, Francois ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 3, S. 485-489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Inversion charge linearization in MOSFET modeling and rigorous derivation of the EKV compact model.
    Sallese, Jean-Michel ; Bucher, Matthias ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-04-01), Heft 4, S. 677-683
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An efficient channel segmentation approach for a large-signal NQS MOSFET model
    BUCHER, Matthias ; BAZIGOS, Antonios
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 2, S. 275-281
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A new analytic approximation to general diode equation.
    He, Jin ; Fang, Ming ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-07-01), Heft 7/8, S. 1371-1374
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A closed-form charge-based expression for drain current in symmetric and asymmetric double gate MOSFET.
    Roy, A. S. ; Sallese, J. M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), Heft 4, S. 687-693
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A novel approach to charge-based non-quasi-static model of the MOS transistor valid in all modes of operation.
    Sallese, J. M. ; Porret, A. S.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000-06-01), Heft 6, S. 887-894
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Improved analytical modeling of polysilicon depletion in MOSFETs for circuit simulation.
    Sallese, Jean-Michel ; Bucher, Matthias ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000-06-01), Heft 6, S. 905-912
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    MOS transistor modeling for low-voltage and low-power analog IC design
    ENZ, C. C ; VITTOZ, E. A
    In: Microelectronic engineering, Jg. 39 (1997), Heft 1-4, S. 59-76
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Unified large and small signal non-quasi-static model for long channel symmetric DG MOSFET
    Sarkar, Sudipta ; Roy, Ananda S ; et al.
    2010
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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