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    Influence of cooling rate on the dislocations and related luminescence in LPE SiGe layers grown on Si (100) substrates
    Sembian, A. M. ; Banhart, F. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 372 (2000), Heft 1-2, S. 1-5
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Temperature determination by solubility measurements and a study of cvaporation of volatile components in LPE
    Mishurnyi, V. A. ; De Anda, F. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 340 (1999), Heft 1/2, S. 24-27
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Defect distribution and morphology development of SiGe layers grown on Si(100) substrates by LPE
    Sembian, A. M. ; Konuma, M. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 336 (1998), Heft E 1-2, S. 116-119
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth of textured single crystal silicon thin film for PV applications
    Fave, A. ; Berger, S. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 383 (2001), Heft 1-2, S. 209-211
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Interface recombination and photoluminescence efficiency of thick (>3 m̆) InGaAs prepared by LPE with InAs-enriched composition
    Parry, M. K. ; Krier, A.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 259 (1995), Heft 2, S. 163-163
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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