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    Processing of graphene on 300mm Si wafers in a state-ofthe-art CMOS fabrication facility.
    KAUSHIK, V. ; AGBODO, N. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 58 (2015), Heft 1, S. 23-27
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Going Up! Monolithic 3D as an alternative to CMOS scaling.
    MICHALLET, JEAN-ERIC ; METRAS, HUGHES ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 57 (2014-05-01), Heft 3, S. 24-27
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    2D cross-sectional doping profiling study of advanced CMOS devices.
    Qin, Shu ; Wang, Zhouguang ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 55 (2012-07-01), Heft 6, S. 29-35
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    III-V MOSFETs for future CMOS transistor applications.
    Passlack, M. ; Droopad, R. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-12-01), Heft 12, S. 26-29
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Fully gate-all-around silicon nanowire CMOS devices. (cover story)
    Singh, N. ; Buddharaju, K. D. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-05-01), Heft 5, S. 34-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Integrating dual workfunction metal gates in CMOS. (cover story)
    Song, S. C. ; Hussain, M. M. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-08-01), Heft 8, S. 47-50
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Low-power, high-performance SOI CMOS.
    Pelloie, Jean-Lac ; Auberton-Herve, Andre
    In: Solid State Technology, Jg. 44 (2001-11-01), Heft 11, S. 63-67
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
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    CMOS: How far can it go?
    Deleonibus, Simon ; Caillat, Christian ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-03-01), Heft 3, S. S14- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage tuning for 10nm and beyond CMOS integration.
    NAOMI, YOSHIDA ; KEPING, HAN ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 57 (2014-10-01), Heft 7, S. 23-25
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    New materials and device structures needed for CMOS scaling.
    Class, Walter ; Jackson, Michael
    In: Solid State Technology, Jg. 47 (2004), Heft 1, S. 34-39
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Chromeless phase-shift masks used for sub-100nm SOI CMOS transistors.
    Fritze, Michael ; Astolfi, David K. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 43 (2000-07-01), Heft 7, S. 116-121
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Back-side illumination, wafer-scale optics drive 2x-5x jump in CMOS image sensor performance.
    Baron, Jerôme
    In: Solid State Technology, Jg. 53 (2010-07-01), Heft 7, S. 10-12
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Report from VLSI Symposium: Planar CMOS to 22nm, at most.
    J., O. B.
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-08-01), Heft 8, S. 18-20
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    IMEC's "noble" efforts to integrate nanophotonics with hi-speed CMOS.
    D., V.
    In: Solid State Technology, Jg. 52 (2009-07-01), Heft 7, S. 16-18
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    CMP for metal-gate integration in advanced CMOS transistors. (cover story)
    Feeney, Paul
    In: Solid State Technology, Jg. 53 (2010-11-01), Heft 10, S. 14-16
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Grenoble team demonstrates world's first qubit device fabricated in standard CMOS process.
    In: Solid State Technology, Jg. 59 (2016-12-01), Heft 8, S. 4-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Frontend processes required for continued CMOS scaling.
    Butterbaugh, J. ; Osburn, C. M.
    In: Solid State Technology, Jg. 49 (2006-02-01), Heft 2, S. 46-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CMOS image sensor update.
    In: Solid State Technology, Jg. 59 (2016-10-01), Heft 7, S. 10-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    CMOS needed, still viable.
    In: Solid State Technology, Jg. 45 (2002-02-01), Heft 2, S. 28-29
    Online academicJournal
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    Samsung eases production of resistive memory with CMOS-compatible materials.
    In: Solid State Technology, Jg. 48 (2005-07-01), Heft 7, S. 24-25
    Online academicJournal
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