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    Class J Power Amplifier for 5G Applications in 28 nm CMOS FD-SOI Technology
    Deltimple, Nathalie ; Fregonese, Sebastien ; et al.
    2018
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Design of an 8 bit low power 2 GHz sampling rate ADC on 180 nm CMOS process
    Puech, Gabriel ; Laboratoire de Physique de Clermont (LPC) ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    2nd and 4th order planar dual-mode ring filters at 140 GHz in CMOS 130 nm technology
    Rynkiewicz, Pedro ; Franc, Anne-Laure ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Investigations of Thermomechanical Stress Induced by TSV-Middle (Through-Silicon via) in 3-D ICs by Means of CMOS Sensors and Finite-Element Method
    Komi Atchou Ewuame ; Tavernier, Clement ; et al.
    2015
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Class J Power Amplifier for 5G Applications in 28 nm CMOS FD-SOI Technology
    Hanna, Tony ; Deltimple, Nathalie ; et al.
    In: Journal of Integrated Circuits and Systems, ; https://hal.science/hal-01904797 ; Journal of Integrated Circuits and Systems,, 2018, 13 (2, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Class-J Power Amplifier for 5G Applications in 28nm CMOS FD-SOI Technology
    Hanna, Tony ; Deltimple, Nathalie ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Design of an 8 bit low power 2 GHz sampling rate ADC on 180 nm CMOS process ; Conception d'un ADC de résolution 8 bits basse consommation et 2 GHz de fréquence d'échantillonnage en technologie CMOS 180 nm
    Puech, Gabriel ; Laboratoire de Physique de Clermont (LPC) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01844086 ; Electronique. Université Clermont Auvergne [2017-2020], 2017. Français. ⟨NNT : 2017CLFAC094⟩, 2017
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Optimizing and Comparing CMOS Implementations of the C-element in 65nm technology: Self-Timed Ring Case
    Yahya, Eslam ; Rieubon, Sebastien ; et al.
    2010
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A compact millimeter-wave dual-mode ring filter using loaded capacitances in CMOS 0.25µm technology
    Rynkiewicz, Pedro ; Franc, Anne-Laure ; et al.
    In: International Microwave Symposium Digest (IMS 2016), May 22-27, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 0.35 μm CMOS AM demodulator
    Maris Ferreira, Pietro ; Baruqui, Fernando Antonio Pinto ; et al.
    2008
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigations of Thermomechanical Stress Induced by TSV-Middle (Through-Silicon via) in 3-D ICs by Means of CMOS Sensors and Finite-Element Method
    Ewuame, Komi Atchou ; Fiori, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 1070-9886 ; IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. Part A, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Robust nonlinear models for CMOS buffers
    Telescu, Mihai ; Tanguy, N. ; et al.
    2016
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Robust nonlinear models for CMOS buffers
    Diouf, Chérif El Valid ; Telescu, Mihai ; et al.
    In: 20th IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI) ; https://hal.univ-brest.fr/hal-01342082 ; 20th IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), May 2016, Turin, Italy. ⟨10.1109/SaPIW.2016.7496284⟩, 2016
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Optimizing and Comparing CMOS Implementations of the C-element in 65nm technology: Self-Timed Ring Case
    Elissati, O. ; Yahya, E. ; et al.
    In: Integrated Circuit and System Design. Power and Timing Modeling, Optimization, and Simulation, 20th International Workshop, PATMOS 2010, Grenoble, France, September 7-10, 2010 ; https://hal.science/hal-00564558 ; Integrated Circuit and System Design. Power and Timing Modeling, Optimization, and Simulation, 20th International Workshop, PATMOS 2010, Grenoble, France, September 7-10, 2010, Springer, pp.137-149, 2010, Lecture Notes in Computer Science, Vol. 6448; (2010)
    Buch
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Development of Single-Event Upset hardened programmable logic devices in deep submicron CMOS ; Développement de circuits logiques programmables résistants aux aléas logiques en technologie CMOS submicrométrique
    Bonacini, S. ; European Organization for Nuclear Research (CERN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00192815 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, 2007. Français. ⟨NNT : ⟩, 2007
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Contribution à l'étude de transmetteurs aux fréquences millimétriques sur des technologies émergentes et avancées
    Hanna, Tony ; STAR, ABES
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Introducing 14-nm FinFET technology in Microwind
    Sicard, Etienne ; Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse) ; et al.
    In: https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01541171 ; 2017, 2017
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Contribution to the study of transmitters at millimeter frequencies on emerging and advanced technologies ; Contribution à l'étude de transmetteurs aux fréquences millimétriques sur des technologies émergentes et avancées
    Hanna, Tony ; Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01729094 ; Other. Université de Bordeaux, 2017. English. ⟨NNT : 2017BORD0944⟩, 2017
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Single event upset tolerance in flip-flop based microprocessor cores
    Valadimas, S. ; Tsiatouhas, Y. ; et al.
    In: IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01061344 ; IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT), Oct 2012, Austin, Texas, United States. pp.79 - 84, ⟨10.1109/DFT.2012.6378204⟩, 2012
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effect of Aging on Power Integrity and Conducted Emission of Digital Integrated Circuits
    Boyer, Alexandre ; Sonia Ben Dhia ; et al.
    2014
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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md 768 - 992
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