Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
97 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

Geographischer Bezug

97 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Dislocation density reduction for vertical GaN devices on 200 mm Si
    Gao, Ziyao ; Hamdaoui, Youssef ; et al.
    In: 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) ; https://hal.science/hal-04436407 ; 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Nov 2023, Nagoya, Japan, 2023
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Secondary ion mass spectrometry quantification of boron distribution in an array of silicon nanowires
    Michałowski, Paweł, Piotr ; Müller, Jonas ; et al.
    In: ISSN: 0263-2241, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Performance of vertical gate-all-around nanowire p-MOS transistors determined by boron depletion during oxidation
    Rossi, Chiara ; Burenkov, Alexander ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://laas.hal.science/hal-04234531 ; Solid-State Electronics, 2023, 200, pp.108551. ⟨10.1016/j.sse.2022.108551⟩ ; https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110122003239?via%3Dihub, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    CMOS-compatible manufacturability of sub-15 nm Si/SiO$_2$/Si nanopillars containing single Si nanodots for single electron transistor applications
    von Borany, Johannes ; Engelmann, Hans-Juergen ; et al.
    In: ISSN: 0268-1242, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    CMOS compatible manufacturing of a hybrid SET-FET circuit
    del Moral, Alberto ; Amat, Esteve ; et al.
    In: ISSN: 0268-1242, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A holistic contribution to fast innovation in electric vehicles : An overview of the DEMOBASE research project
    Bordes, A. ; Danilov, D.L. ; et al.
    In: ISSN: 2590-1168 ; eTransportation ; https://hal-ineris.archives-ouvertes.fr/ineris-03512949 ; eTransportation, 2022, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Remarkable Breakdown Voltage on AlN/AlGaN/AlN double heterostructure
    Abid, Idriss ; Kabouche, Riad ; et al.
    In: 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2020) ; https://hal.science/hal-03044195 ; 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2020), Sep 2020, Vienne, Austria. pp.310-312, ⟨10.1109/ISPSD46842.2020.9170170⟩, 2020
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Vertical leakage in GaN-on-Si stacks investigated by a buffer decomposition experiment
    Tajalli, Alaleh ; Borga, Matteo ; et al.
    In: ISSN: 2072-666X ; Micromachines ; https://hal.science/hal-03028138 ; Micromachines, 2020, 11 (1), 101, 9 p. ⟨10.3390/mi11010101⟩, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    The impact of dislocations on AlGaN/GaN Schottky diodes and on gate failure of high electron mobility transistors
    Besendörfer, Sven ; Meissner, Elke ; et al.
    In: ISSN: 2045-2322, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Sub-20 nm multilayer nanopillar patterning for hybrid SET/CMOS integration
    Pourteau, Marie-Line ; Gharbi, Ahmed ; et al.
    In: ISSN: 2590-0072 ; Micro and Nano Engineering ; https://cea.hal.science/cea-03409432 ; Micro and Nano Engineering, 2020, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Enhanced model calibration for e-beam lithography: from pattern selection to parameter optimization
    Schiavone, P. ; Figueiro, T. ; et al.
    In: 10th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop ; https://hal.science/hal-00807431 ; 10th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, Sep 2012, Hersbruck, Germany, 2012
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Simulations in nano-optics: better description of nanostructures permittivities and optimization of resonant properties of metallic nano-particles
    Vial, Alexandre ; Macías, Demetrio ; et al.
    In: 9th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop ; https://utt.hal.science/hal-02861414 ; 9th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, Sep 2011, Hersbruck, France, 2011
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    General view of the in situ and real time scatterometry tool development
    El Kodadi, M. ; Besacier, M. ; et al.
    In: 7Th Fraunhofer IISB Lithography simulation Workshop ; https://hal.science/hal-00455534 ; 7Th Fraunhofer IISB Lithography simulation Workshop, 2009, Hersbruck, Germany, 2009
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Diffraction effects in an EUV interferometer
    Saib, M. ; Besacier, M. ; et al.
    In: 7th Fraunhofer IISB Lithography simulation workshop ; https://hal.science/hal-00461062 ; 7th Fraunhofer IISB Lithography simulation workshop, 2009, Hersbruck, Germany, 2009
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Real-time scatterometry for process control
    Soulan, S. ; Besacier, M. ; et al.
    In: 5th IISB Lithography Simulation Workshop ; https://hal.science/hal-00387468 ; 5th IISB Lithography Simulation Workshop, 2007, Hersbruck, Germany, 2007
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Inverse problem in dynamic Scatterometry
    Soulan, S. ; Besacier, M. ; et al.
    In: 4th IISB Lithography Simulation Workshop ; https://hal.science/hal-00387464 ; 4th IISB Lithography Simulation Workshop, 2006, Hersbruck, Germany, 2006
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Detailed characterisation of focused ion beam induced lateral damage on silicon carbide samples by electrical scanning probe microscopy and transmission electron microscopy
    Stumpf, F. ; Quba, A. A. Abu ; et al.
    In: ISSN: 0021-8979, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    3D rigorous simulation using Modal Method by Fourier Expansion: application to EUV lithography and scatterometry
    Smaali, Rafik ; Fuard, D. ; et al.
    In: 3rd IISB Lithography Simulation Workshop, ; https://hal.science/hal-00387461 ; 3rd IISB Lithography Simulation Workshop,, 2005, Pommersfelden, Germany, 2005
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    3D simulation using Modal Method by Fourier Expansion: application to EUV lithography and scatterometry
    Schiavone, Patrick ; Smaali, Rafik ; et al.
    In: Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop ; https://hal.science/hal-00023230 ; Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, 2005, Pommersfelden, Germany, 2005
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Diffused Aerial image Model, an accurate simplifieds resist model
    Fuard, D. ; Schiavone, P. ; et al.
    In: Faunhofer IISB Lithography Simulation Workshop ; https://hal.science/hal-00486452 ; Faunhofer IISB Lithography Simulation Workshop, 2003, Hersbruck, Germany, 2003
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -