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    High-density plasma chemical vapor deposition of silicon-based dielectric films for integrated circuits.
    Nguyen, S. V.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999), Heft 1-2, S. 109-126
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature Si and Si:Ge epitaxy by ultrahigh-vacuum/chemical vapor deposition: process fundamentals.
    Meyerson, B. S.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 44 (2000), Heft 1/2, S. 132-141
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Plasma-deposited diamondlike carbon and related materials.
    Grill, A.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999), Heft 1-2, S. 147-161
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Plasma-assisted chemical vapor deposition of dielectric thin films for ULSI semiconductor circuits.
    Cote, D. R. ; Nguyen, S. V. ; et al.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999), Heft 1-2, S. 5-38
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature chemical vapor deposition processes and dielectrics for microelectronic circuit manufacturing at IBM.
    Cote, D. R. ; Nguyen, S. V. ; et al.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 39 (1995-07-01), S. 437-464
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Titanium dioxide (TiO2)-based gate insulators.
    Campbell, S. A. ; Kim, H. S. ; et al.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999-05-01), Heft 3, S. 383-392
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Plasma processing damage in etching and deposition.
    Fonash, S. J.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999), Heft 1-2, S. 103-107
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Ultrathin nitrided gate dielectrics: plasma processing, chemical characterization, performance, and reliability.
    Lucovsky, G.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999-05-01), Heft 3, S. 301-326
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    {Plasma processes}.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999), Heft 1-2, S. 3-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Plasma processing in the fabrication of amorphous silicon thin-film-transistor arrays.
    Kuo, Y. ; Okajima, K. ; et al.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999), Heft 1-2, S. 73-88
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Modeling and simulation methods for plasma processing.
    Hamaguchi, S.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 43 (1999), Heft 1-2, S. 199-215
    Online academicJournal
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    Diamondlike carbon films by rf plasma-assisted chemical vapor deposition from acetylene.
    Grill, A. ; Meyerson, B. S. ; et al.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 34 (1990-11-01), S. 849-857
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Selective epitaxial growth of silicon and some potential applications.
    Ginsberg, B. J. ; Burghartz, J. ; et al.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 34 (1990-11-01), S. 816-827
    Online academicJournal
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    Design of low-temperature thermal chemical vapor deposition processes.
    Beach, D. B.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 34 (1990-11-01), S. 795-805
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low-temperature Si and Si:Ge epitaxy by ultrahigh-vacuum/chemical vapor deposition: process fundamentals.
    Meyerson, B. S.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 34 (1990-11-01), S. 806-815
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Surface chemistry of the WF6-based chemical vapor deposition of tungsten.
    Yu, M. L. ; Ahn, K. Y. ; et al.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 34 (1990-11-01), S. 875-883
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Oxidation of Si-rich chemical-vapor-deposited films of tungsten silicide.
    Krusin-Elbaum, L. ; Joshi, R. V.
    In: IBM Journal of Research & Development, Jg. 31 (1987-11-01), S. 634-640
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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