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    Structural defects characterisation of GaInNAs MQWs by TEM and PL : European Materials Research Society; Dilute nitrade and related mismatched semiconductor alloys
    Herrera, M. ; Gonzalez, D. ; et al.
    In: IEE PROCEEDINGS OPTOELECTRONICS, Jg. 151 (2004), Heft NO 5, S. 385-388
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and performance of InGaAlAs MQW distributed Bragg reflector lasers with grooved surface gratings formed by reactive beam etching : Semiconductor and integrated optoelectronics
    Oku, S. ; Kondo, S. ; et al.
    In: IEE PROCEEDINGS, OPTOELECTRONICS, Jg. 146 (1999), Heft 1, S. 39-44
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optimising 1550 nm InGaAsP strain compensated MQW lasers close to the miscibility gap : Semiconductor and integrated optoelectronics
    Crump, P. A. ; Lage, H. ; et al.
    In: IEE PROCEEDINGS, OPTOELECTRONICS, Jg. 145 (1998), Heft 1, S. 7-12
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Excellent high-temperature characteristics for 1.3 m̆-strained MQW ASM-DC-PBH LDs fabricated by pulse-mode selective MOVPE : Integrated optics and optical fibre communications: IOOC-ECOC97
    Sakata, Y. ; Hosoda, T. ; et al.
    In: IEE CONFERENCE PUBLICATION, Jg. 1, S. 99-102
    Konferenz
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    Low noise and low distortion AM/FM converter with frequency modulated 1.55 m̆ strained-layer MQW-DFB laser for analog transmission : Integrated optics and optical fibre communications: IOOC-ECOC97
    Ohya, J. ; Otsuka, N. ; et al.
    In: IEE CONFERENCE PUBLICATION, Jg. 2, S. 94-97
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of frequency chirps in MQW DFB lasers under external modulation : Semiconductor optoelectronics
    Hong, J. ; Huang, W. P. ; et al.
    In: IEE PROCEEDINGS OPTOELECTRONICS, Jg. 142, Heft 1, S. 44-50
    Konferenz
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    academicJournal
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    - 40^oC < T < 95^o C mode-hop-free operation of uncooled AlGaInAs-MQW discrete-mode laser diode with emission at λ = 1.3 μm
    Phelan, R. ; Kelly, B. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 45 (2009), Heft 1, S. 43-44
    serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    40 Gbit/s DPSK modulation using an InGaAlAs-InAlAs MQW n-i-n Mach-Zehnder modulator
    Shibata, Y. ; Kikuchi, N. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 44 (2008), Heft 21, S. 1269-1270
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    2.4 μm cutoff wavelength heterojunction phototransistor with strained InAs/InGaAs MQW absorption layer
    Fukano, H. ; Sato, T. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 43 (2007), Heft 23, S. 1306-1307
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High performance uncooled C-band, 10 Gbit/s InGaAlAs MQW electroabsorption modulator integrated to semiconductor amplifier in laser-integrated modules
    Frateschi, N. C. ; Zhang, J. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 40 (2004), Heft 2, S. 140-141
    serialPeriodical
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    80 Gbit/s wavelength conversion using MQW electroabsorption modulator in delayed-interferometric configuration
    Nishimura, K. ; Inohara, R. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 39 (2003), Heft 10, S. 792-793
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Advantages of optical modulators with InGaAlAs/InGaAlAs MQW structure
    Shimizu, J. ; Aoki, M. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 38 (2002), Heft 15, S. 821-822
    serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Measurement of alpha-parameter for push-pull operation of pi phase-shift MQW Mach-Zehnder modulator
    Cartledge, J. C. ; Bouder, V.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 37 (2001), Heft 7, S. 452-453
    serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    1.55mum multichannel DWDM source using quaternary/quaternary MQW InGaAsP/InP QCSE tuning
    Song, J. B. ; Button, C. C. ; et al.
    In: ELECTRONICS LETTERS- IEE, Jg. 37 (2001), Heft 7, S. 426-427
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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