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    Efficient Designs for the 8-Bit Approximate Fixed Point Multiplication
    Singh, Kaptan ; Puligilla, Sai Varun ; et al.
    In: 2024 IEEE 14th Annual Computing and Communication Workshop and Conference (CCWC), 2024-01-08, S. 336-344
    Konferenz
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    Improved Low-Voltage Sensing Performance in MIS(p) Tunnel Diodes by Oxide Thickening at the Gate Fringe
    Lin, K. ; Hwu, J.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1845-1851
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Detection of the Interface-Trap Charge Density and Lateral Nonuniformity of Through-Silicon Vias
    Kim, K. ; Ahn, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 28 (2018-05-01), Heft 5, S. 422-424
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Surface Nonuniformity-Induced Frequency Dispersion in Accumulation Capacitance for Silicon MOS(n) Capacitor
    Lin, H. ; Hwu, J.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-07-01), Heft 7, S. 2844-2851
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Constitution and Characteristics of Lateral Nonuniformity Effects of MOS Devices Using QM-Based Terman Method
    Lin, H. P. ; Hwu, J. G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-11-01), Heft 11, S. 3064-3070
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Lateral nonuniformity of effective oxide charges in MOS capacitors with Al/sub 2/O/sub 3/ gate dielectrics
    Huang, Szu-Wei ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-07-01), Heft 7, S. 1608-1614
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comprehensive Study on Negative Capacitance Effect Observed in MOS(n) Capacitors With Ultrathin Gate Oxides
    Chang, S J. ; Hwu, J G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 684-690
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Accuracy and Performance Trade-Offs of Logarithmic Number Units in Multi-Core Clusters
    Schaffner, Michael ; Gautschi, Michael ; et al.
    In: 2016 IEEE 23nd Symposium on Computer Arithmetic (ARITH), 2016-07-01, S. 95-103
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Lateral Nonuniformity of Effective Oxide Charges in MOS Capacitors With A1<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Gate Dielectrics.
    Huang, Szu-Wei ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-07-01), Heft 7, S. 1608-1614
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An Extended Shared Logarithmic Unit for Nonlinear Function Kernel Acceleration in a 65-nm CMOS Multicore Cluster
    Gautschi, M. ; Schaffner, M. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 52 (2017), Heft 1, S. 98-112
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Cluster-oriented service composition modeling method based on logical net units
    Qi, Liang ; Du, Yuyue ; et al.
    In: Proceedings of 2012 9th IEEE International Conference on Networking, Sensing and Control, 2012-04-01, S. 112-117
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Analysis of Constitution and Characteristics of Lateral Nonuniformity Effects of MOS Devices Using QM-Based Terman Method.
    Lin, Hao-Peng ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-11-01), Heft 11, S. 3064-3070
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Kinematic implications of learned non-use for robotic therapy
    Johnson, M.J. ; Wisneski, K. ; et al.
    In: 9th International Conference on Rehabilitation Robotics, 2005. ICORR, 2005, S. 70-73
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    4.6 A 65nm CMOS 6.4-to-29.2pJ/FLOP@0.8V shared logarithmic floating point unit for acceleration of nonlinear function kernels in a tightly coupled processor cluster
    Gautschi, Michael ; Schaffner, Michael ; et al.
    In: 2016 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2016, S. 82-83
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Latent damage investigation on lateral non-uniform charge generation and stress-induced leakage current in silicon dioxides subjected to low-level electrostatic discharge impulse stressing
    Lim, P.S. ; Chim, W.K.
    In: Proceedings of the 1999 7th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (Cat. No.99TH8394), 1999, S. 156-161
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Lateral Nonuniformity Effects of Border Traps on the Characteristics of Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors Subjected to High-Field Stresses
    Tseng, J. C. ; Hwu, J. G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-06-01), Heft 6, S. 1366-1372
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Research on Facial Emotion Recognition System Based on Exoskeleton Rehabilitation Robot
    Sun, Wei ; Peng, Haining ; et al.
    In: 2020 IEEE 11th International Conference on Software Engineering and Service Science (ICSESS), 2020-10-16, S. 481-484
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Latent damage investigation on lateral nonuniform charge generation and stress-induced leakage current in silicon dioxide subjected to high-field current impulse stressing
    Chim, Wai-Kim ; Lim, Peng-Soon
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 47 (2000-02-01), Heft 2, S. 473-481
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Separation of radiation induced and process induced lateral non-uniformities MOSFET
    Xapsos, M.A. ; Freitag, R.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 37 (1990-12-01), Heft 6, S. 1677-1681
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Lateral Nonuniformity Effects of Border Traps on the Characteristics of Metal--Oxide--Semiconductor Field-Effect Transistors Subjected to High-Field Stresses.
    Tseng, Jen-Chou ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-06-01), Heft 6, S. 1366-1372
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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