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61 Treffer

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    Demonstration of Zn-Diffused Planar Long-Wavelength Infrared Photodetector Based on Type-II Superlattice Grown by MBE
    Saroj, Rajendra K. ; Nguyen, Van Hoang ; et al.
    In: IEEE journal of quantum electronics, Jg. 58 (2022), Heft 5, S. 1-6
    Online serialPeriodical
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    A Steep Slope MBE-Grown Thin p-Ge Channel FETs on Bulk Ge<subscript>-on-</subscript>Si Using HZO Internal Voltage Amplification
    Choudhary, Sumit ; Schwarz, Daniel ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 5, S. 2725-2731
    Online serialPeriodical
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    GaN:Be I-Layer-Based High-Power p-i-n Diodes Achieving Large Quasi-Vertical MBE Breakdown Performance
    Ahmad, Habib ; Engel, Zachary ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 5, S. 2566-2572
    Online serialPeriodical
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    Development of GaN Vertical Trench-MOSFET With MBE Regrown Channel
    Li, Wenshen ; Xing, Huili Grace ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 65 (2018), Heft 6, S. 2558-2564
    Online serialPeriodical
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    Development of GaN Vertical Trench-MOSFET With MBE Regrown Channel
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 65 (2018), Heft 6, S. 2558-2564
    Online serialPeriodical
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    Development of GaN Vertical Trench-MOSFET With MBE Regrown Channel
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 65 (2018), Heft 6, S. 2558-2564
    Online serialPeriodical
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    Development of GaN Vertical Trench-MOSFET With MBE Regrown Channel
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 65 (2018), Heft 6, S. 2558-2564
    Online serialPeriodical
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    MBE-Grown <inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\beta$ </tex-math></inline-formula>-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>-Based Schottky UV-C Photodetectors With Rectification Ratio ~10 7
    Pratiyush, Anamika Singh ; Xia, Zhanbo ; et al.
    In: IEEE photonics technology letters, Jg. 30 (2018), Heft 23, S. 2025-2028
    Online serialPeriodical
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    MBE-Grown <inline-formula> <tex-math notation='LaTeX'>$\beta$ </tex-math></inline-formula>-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>-Based Schottky UV-C Photodetectors With Rectification Ratio ~10 7
    In: IEEE photonics technology letters, Jg. 30 (2018), Heft 23, S. 2025-2028
    Online serialPeriodical
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    Normally-Off MOS-HFET on AlGaN/GaN-on-Si(110) Grown by NH3 MBE
    Han, S. ; Noh, Y. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 37 (2016), Heft 12, S. 1613-1616
    Online serialPeriodical
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    Electrical Behavior of MBE Grown Interfacial Misfit GaSb/GaAs Heterostructures With and Without Te-Doped Interfaces
    Aziz, M. ; Felix, J. F. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 62 (2015), Heft 12, S. 3980-3986
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Mapping Defect Density in MBE Grown In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As Epitaxial Layers on Si Substrate Using Esaki Diode Valley Characteristics : SPECIAL ISSUE ON VACUUM ELECTRONIC DEVIVES
    Majumdar, K. ; Thomas, P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 61 (2014), Heft 6, S. 2049-2055
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    MBE: Model-Based Available Bandwidth Estimation for IEEE 802.11 Data Communications
    Yuan, Z. ; Venkataraman, H. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON VEHICULAR TECHNOLOGY, Jg. 61 (2012), Heft 5, S. 2158-2171
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Influence of Built-In Drift Fields on the Performance of InP-Based HBTs Grown by Solid-Source MBE
    Driad, R. ; Aidam, R. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 7, S. 1915-1920
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    Vertical Silicon p-n-p-n Tunnel nMOSFET With MBE-Grown Tunneling Junction
    Tura, A. ; Zhang, Z. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 58 (2011), Heft 7, S. 1907-1913
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode AlN/GaN/AlGaN DHFETs by Selective MBE Regrowth
    Brown, D. F. ; Shinohara, K. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 58 (2011), Heft 4, S. 1063-1067
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Adsorption-Controlled Growth of BiFeO~3 by MBE and Integration with Wide Band Gap Semiconductors
    Ihlefeld, J.F. ; Tian, W. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL, Jg. 56 (2009), Heft 8, S. 1528-1533
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    Characteristics of MBE-Grown GaN Detectors on Double Buffer Layers Under High-Power Ultraviolet Optical Irradiation
    Lui, H. F. ; Fong, Wai-Keung ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 4, S. 671-676
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characteristics of MBE-Grown GaN Detectors on Double Buffer Layers Under High-Power Ultraviolet Optical Irradiation
    Lui, H. F. ; Fong, W. K. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 54 (2007), Heft 4, S. 671-676
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    High-Performance InGaP/GaAs HBTs With Compositionally Graded Bases Grown by Solid-Source MBE
    Joe, J. H. ; Missous, M.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 8, S. 1693-1697
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