Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
8 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Publikation

Sprache

8 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Prospects for Wide Bandgap and Ultrawide Bandgap CMOS Devices
    Bader, Samuel James ; Lee, Hyunjea ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 67 (2020), Heft 10, S. 4010-4020
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Gallium Nitride and Silicon Transistors on 300 mm Silicon Wafers Enabled by 3-D Monolithic Heterogeneous Integration
    Then, Han Wui ; Radosavljevic, Marko ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 67 (2020), Heft 12, S. 5306-5314
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Regrowth-Free GaN-Based Complementary Logic on a Si Substrate
    Chowdhury, Nadim ; Xie, Qingyun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 41 (2020), Heft 6, S. 820-823
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    P-Channel GaN Transistor Based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si
    Chowdhury, Nadim ; Lemettinen, Jori ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 40 (2019), Heft 7, S. 1036-1039
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Gate-Recessed E-mode p-Channel HFET With High On-Current Based on GaN/AlN 2D Hole Gas
    Bader, Samuel James ; Chaudhuri, Reet ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 39 (2018), Heft 12, S. 1848-1851
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Outage Probability and Power Allocation for Collaborative Relaying of Multiple-Access Primary Users by Secondary User With Partial/Full Channel Knowledge
    Wui, J. ; Kim, D.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON VEHICULAR TECHNOLOGY, Jg. 65 (2016), Heft 11, S. 9098-9111
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    The Transistor Laser: Theory and Experiment
    Then, Han Wui ; Feng, Milton ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE, Jg. 101 (2013), Heft 10, S. 2271-2298
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The Transistor Laser: Theory and Experiment
    Then, Han Wui ; Feng, Milton ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE, Jg. 101 (2013), Heft 10, S. 2271-2298
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -