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    A low power transistor level FIR filter implementation using CMOS 45 nm technology
    Balaji, M. ; Padmaja, N.
    In: International Journal of Nanotechnology ; volume 20, issue 1/2/3/4, page 390-409 ; ISSN 1475-7435 1741-8151, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modelling and characterisation of flat-band roll-off behaviours in LaO<SUB align='right'>x capped high-K/metal-gate NMOSFET with 28 nm CMOS technology
    Feng Renn Juang ; Fang, Yean-Kuen ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 11 (2014), S. 1039-1039
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Bistable molecules development and Si surface grafting: two chemical tools used for the fabrication of hybrid molecule/Si CMOS component
    Maldivi, Pascale ; Bidan, Gérard ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 7 (2010), S. 719-719
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    On the channel length dependence of negative bias temperature instability in nano-CMOS technology
    Jin, Lei ; Xu, Mingzhen
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 6 (2009), S. 670-670
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Nanoelectronics with CMOS transistors: electrostatic and quantum effects
    Sanquer, Marc ; Vinet, M. ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 7 (2010), S. 288-288
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Modelling and characterisation of flat-band roll-off behaviours in LaOx capped high-K/metal-gate NMOSFET with 28 nm CMOS technology
    Hung, Wen Han ; Juang, Feng Renn ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology ; volume 11, issue 12, page 1039 ; ISSN 1475-7435 1741-8151, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Bistable molecules development and Si surface grafting: two chemical tools used for the fabrication of hybrid molecule/Si CMOS component
    Duclairoir, Florence ; Dubois, Lionel ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology ; volume 7, issue 4/5/6/7/8, page 719 ; ISSN 1475-7435 1741-8151, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Nanoelectronics with CMOS transistors: electrostatic and quantum effects
    Jehl, Xavier ; Sanquer, Marc ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology ; volume 7, issue 4/5/6/7/8, page 288 ; ISSN 1475-7435 1741-8151, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    On the channel length dependence of negative bias temperature instability in nano-CMOS technology
    Jin, Lei ; Xu, Mingzhen
    In: International Journal of Nanotechnology ; volume 6, issue 7/8, page 670 ; ISSN 1475-7435 1741-8151, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Operation principle and fabrication technology of the neuroprocessor input unit on the basis of the memristive logic matrix
    Udovichenko, S.Yu. ; Busygin, Alexander N. ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 16 (2019), S. 596-596
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Germanium on insulator and new 3D architectures opportunities for integration
    Hutin, Louis ; Batude, Perrine ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 7 (2010), S. 304-304
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Spin-transfer effect and its use in spintronic components
    Sousa, R. C. ; Herault, J. ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 7 (2010), S. 591-591
    Online unknown
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Complementary multi-gate tunnelling FETs: fabrication, optimisation and application aspects
    Heigl, A. ; Wachutka, Gerhard ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 6 (2009), S. 628-628
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of the kink effect in indium-doped silicon for sub 100 nm N channel MOSFET technology
    Fargi, Abdelaali ; Kalboussi, Adel ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 10 (2013), S. 523-523
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Carrier depletion type PIN phase shifter in silicon MZM for 200 Gbps operation
    Sivasubramanian, A. ; Balaji, S. ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 18 (2021), S. 740-740
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Trends in pixel fixed pattern noise characteristics with transfer gate geometry
    Kwon, Sung-Kyu ; Choi, Woon-Il ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 12 (2015), S. 154-154
    Online unknown
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    Electrical actuation and detection of mechanical oscillations in cantilevered multi-walled carbon nanotubes
    Rao, Apparao M.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 6 (2009), S. 436-436
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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