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    Nanoelectronics with CMOS transistors: electrostatic and quantum effects
    JEHL, Xavier ; SANQUER, Marc ; et al.
    In: ON NANOTECHNOLOGY IN FRANCE II C'NANO RHONE-ALPES, Jg. 7 (2010), Heft 4-8, S. 288-303
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Role of stress/strain mapping and random dopant fluctuation in advanced CMOS process technology nodes
    Maiti, C. K. ; Mohapatra, E. ; et al.
    In: International Journal of Nano and Biomaterials, Jg. 9 (2020), S. 18-18
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Measuring the high performance of five-stage ring VCO with reverse body bias technique in 45 nm CMOS technology
    Saxena, Anshul ; Akashe, Shyam ; et al.
    In: International Journal of Signal and Imaging Systems Engineering, Jg. 9 (2016), S. 79-79
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Modelling and characterisation of flat-band roll-off behaviours in LaO<SUB align='right'>x capped high-K/metal-gate NMOSFET with 28 nm CMOS technology
    Feng Renn Juang ; Fang, Yean-Kuen ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 11 (2014), S. 1039-1039
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Design of optimal nano-CMOS differential VCO for RF applications
    Prakash Kumar Rout ; Debiprasad Pryabrata Acharya ; et al.
    In: International Journal of Circuits and Architecture Design, Jg. 1 (2014), S. 242-242
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Bistable molecules development and Si surface grafting: two chemical tools used for the fabrication of hybrid molecule/Si CMOS component
    Maldivi, Pascale ; Bidan, Gérard ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 7 (2010), S. 719-719
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    On the channel length dependence of negative bias temperature instability in nano-CMOS technology
    Jin, Lei ; Xu, Mingzhen
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 6 (2009), S. 670-670
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Nanoelectronics with CMOS transistors: electrostatic and quantum effects
    Sanquer, Marc ; Vinet, M. ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 7 (2010), S. 288-288
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    A CMOS compatible non-lithographic nanomanufacturing system
    Arghya Narayan Banerjee ; Das, Biswajit
    In: International Journal of Nanomanufacturing, Jg. 2 (2008), S. 543-543
    Online unknown
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    Design and development of a novel MOSFET structure for reduction of reverse bias pn junction leakage current
    Mukherjee, Debasis ; B.V. Ramana Reddy
    In: International Journal of Intelligence and Sustainable Computing, Jg. 1 (2020), S. 32-32
    Online unknown
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    Effects of hot-carrier degradation on the low frequency noise in strained-Si p-MOSFETs
    Maiti, CK ; Das, Sanghamitra ; et al.
    In: International Journal of Nanoparticles, Jg. 10 (2018), S. 58-58
    Online unknown
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    A novel method for reduction of leakage current in MOSFET
    B.V. Ramana Reddy ; Mukherjee, Debasis
    In: International Journal of Convergence Computing, Jg. 3 (2018), S. 48-48
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Germanium on insulator and new 3D architectures opportunities for integration
    Hutin, Louis ; Batude, Perrine ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 7 (2010), S. 304-304
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Design of low power VCO based on single ended delay cells
    Dwivedi, Dileep ; Kumar, Manoj
    In: International Journal of Circuits and Architecture Design, Jg. 2 (2016), S. 233-233
    Online unknown
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    A 1 × 64 Complementary Metal Oxide Semiconductor ranging sensor based on Current-Assisted Photonic Demodulators
    Kuijk, Maarten ; Daniel Van Nieuwenhove ; et al.
    In: International Journal of Intelligent Systems Technologies and Applications, Jg. 5 (2008), S. 237-237
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Complementary multi-gate tunnelling FETs: fabrication, optimisation and application aspects
    Heigl, A. ; Wachutka, Gerhard ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 6 (2009), S. 628-628
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design and simulation of logic gates using single electron transistors at room temperature
    Goel, A. K. ; Venkataratnam, Aranggan
    In: International Journal of Computational Science and Engineering, Jg. 2 (2006), S. 179-179
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Time-Of-Flight distance sensor with enhanced dynamic range
    Daniel Van Nieuwenhove ; Grootjans, Riemer ; et al.
    In: International Journal of Intelligent Systems Technologies and Applications, Jg. 5 (2008), S. 246-246
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Towards fully integrated Lab-on-Chip: design, assembly and experimental results
    GHAFAR-ZADEH, Ebrahim ; SAWAN, Mohamad
    In: 3rd IEEE International Workshop on Medical Measurements and Applications 2008, Jg. 3 (2009), Heft 1-2, S. 154-166
    academicJournal
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    Carrier depletion type PIN phase shifter in silicon MZM for 200 Gbps operation
    Sivasubramanian, A. ; Balaji, S. ; et al.
    In: International Journal of Nanotechnology, Jg. 18 (2021), S. 740-740
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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