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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Design of a K-Band High-Efficiency Power Amplifier in 45 nm SOI CMOS Technology
    Liying, Chen ; Hao, Wang ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 217 (2021-06-13), S. 95-106
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    An output buffer for 5 V applications in a 0.18 μm 1.8 V/3.3 V CMOS process
    Peng, Fei
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 198 (2019-05-04), S. 153-159
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Integration of FeRAM Devices into a Standard CMOS Process-Impact of Ferroelectric Anneals on CMOS Characteristics
    Mikolajick, Thomas ; Rohner, M. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 47 (2002), S. 61-70
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    DESIGN AND FABRICATION OF NANO-HOLE ARRAYED PT ELECTRODES FOR CMOS INTEGRATED BIO-SENSOR APPLICATIONS
    Park, Dae J. ; Seo, Hye K. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 89 (2007-04-18), S. 189-198
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Integration of MOCVD SBT Stacked Ferroelectric Capacitors in a 0.35 μ m CMOS Technology
    Haspeslagh, L. ; Maes, D. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 66 (2004), S. 71-83
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Processing and performance of integrated ferroelectric and CMOS test structures for memory applications
    Taylor, D. J. ; Verhaar, Robertus D. J. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 6 (1995), S. 93-109
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Down-scaling limitations in CMOS devices: Is there a role for the ferroelectrics?
    Dimitrijev, Sima
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 9 (1995-06-01), S. 151-157
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Preparation and Characterization of ZST Films for CMOS Applications
    Sudheendran, K. ; Pamu, Dobbidi ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 117 (2010-11-11), S. 110-117
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Fabrication and characterization of MFISFET using CMOS process for single transistor memory application
    Chung, Ilsub ; Kim, Tae-Young ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 27 (1999-11-01), S. 31-39
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fabrication of mega-bit FeRAM with both stacked Pt/SBTN/Pt/IrOx/Ir capacitor and 0.25μm cmos design rule
    Woo Seok Yang ; Choi, Eun-Seok ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 37 (2001), S. 57-66
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An output buffer for 5 V applications in a 0.18 μm 1.8 V/3.3 V CMOS process
    Peng, Fei
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 198, issue 1, page 153-159 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 2019
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Integration of FeRAM Devices into a Standard CMOS Process-Impact of Ferroelectric Anneals on CMOS Characteristics
    Röhner, M. ; Mikolajick, T. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 47, issue 1, page 61-70 ; ISSN 1058-4587, 2002
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Preparation and Characterization of ZST Films for CMOS Applications
    Pamu, D. ; Sudheendran, K. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 117, issue 1, page 110-117 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 2010
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    DESIGN AND FABRICATION OF NANO-HOLE ARRAYED PT ELECTRODES FOR CMOS INTEGRATED BIO-SENSOR APPLICATIONS
    SEO, HYE K. ; PARK, DAE J. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 89, issue 1, page 189-198 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 2007
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Integration of MOCVD SBT Stacked Ferroelectric Capacitors in a 0.35 μ m CMOS Technology
    MAES, D. ; EVERAERT, J. L. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 66, issue 1, page 71-83 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Fabrication of mega-bit FeRAM with both stacked Pt/SBTN/Pt/IrO x /Ir capacitor and 0.25μm cmos design rule
    Kweon, Soon Yong ; Yang, Woo Seok ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 37, issue 1-4, page 57-66 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 2001
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Fabrication and characterization of MFISFET using CMOS process for single transistor memory application
    Chung, Ilsub ; Kim, C. J. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 27, issue 1-4, page 31-39 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Processing and performance of integrated ferroelectric and CMOS test structures for memory applications
    Dormans, G. J. M. ; Larsen, P. K. ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 6, issue 1-4, page 93-109 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Down-scaling limitations in CMOS devices: Is there a role for the ferroelectrics?
    Dimitrijev, Sima
    In: Integrated Ferroelectrics ; volume 9, issue 1-3, page 151-157 ; ISSN 1058-4587 1607-8489, 1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Key Technologies for High Density FeRAM Applications
    Nagel, Nicolas ; Kunishima, Iwao
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 48 (2002), S. 127-137
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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