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    CMOS Active Pixel Image Sensors Fabricated Using a 1.8V, 0.25 m̆ CMOS Technology
    Wong, H. S. ; Chang, R. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1996, S. 915-918
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Substantial Advantages of Fully-Depleted CMOS/SlMOX Compared with its Bulk-CMOS Counterpad Devices as Low-Power High-Performance VLSI Components
    Kado, Y. ; Inokawa, H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1995, S. 635-638
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    ESD Protection for Deep-Submicron CMOS Technology Using Gate-Couple CMOS-Trigger Lateral SCR Structure
    Ker, M. ; Chang, H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1995, S. 543-546
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    The Best Combination of Aluminum and Copper Interconnects for a High Performance 0.18m̆ CMOS Logic Device
    Igarashi, M. ; Harada, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 829-832
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    RC Delay Reduction of 0.18m̆ CMOS Technology Using Low Dielectric Constant Fluorinated Amorphous Carbon
    Matsubara, Y. ; Kishimoto, K. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 841-844
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    25nm CMOS Design Considerations
    Taur, Y. ; Wann, C. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 789-792
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    PVD TiN Metal Gate MOSFETs on Bulk Silicon and Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FDSOI) Substrates for Deep Sub-Quarter Micron CMOS Technology
    Maiti, B. ; Tobin, P. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 781-784
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    CMOS Metal Replacement Gate Transistors Using Tantalum Pentoxide Gate Insulator
    Chatterjee, A. ; Chapman, R. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 777-780
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Versatile 0.25 micron CMOS Technology (Invited)
    Poon, S. ; Atwell, C. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 751-754
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 1.9m Loadless CMOS Four-Transistor SRAM Cell in a 0.18m Logic Technology
    Noda, K. ; Matsui, K. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 643-646
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Gate Quality Doped High K Films for CMOS Beyond 100nm: 3-10nm AlO with Low Leakage and Low Interface States
    Manchanda, L. ; Lee, W. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 605-608
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Progress Toward 10nm CMOS Devices
    Timp, G. ; Bourdelle, K. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 615-618
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 1.2V, 0.1m Gate Length CMOS Technology: Design and Process Issues
    Rodder, M. ; Hattangady, S. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 623-626
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-Performance Sub-0.081m CMOS with Dual 627 Gate Oxide and 9.7ps Inverter Delay
    Hargrove, M. ; Crowder, S. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 627-630
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improving Gate Oxide Integrity (GOI) of a W/WN/ Dual-Poly Si Stacked-Gate by Using Wet-Hydrogen Oxidation in 0.14m CMOS Devices
    Ohnishi, K. ; Yamamoto, N. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 397-400
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An Ultra-Low Resistance and Thermally Stable W/ 393 pn-Poly-Si Gate CMOS Technology Using Si/TiN Buffer Layer
    Wakabayashi, H. ; Yamamoto, T. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 393-396
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Capacitor-on-Metal/Via Stacked-Plug (CMVP) 363 Memory Cell for 0.25m CMOS Embedded FeRam
    Areanuma, K. ; Tatsumi, T. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 363-366
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Novel Low Capacitance Sidewall Elevated Drain Dynamic Threshold Voltage MOSFET (LCSED) for Ultra Low Power Dual Gate CMOS Technology
    Kotaki, H. ; Kakimoto, S. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 415-418
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Scalability of SOl Technology into 0.131m 1.2 V CMOS Generation
    Leobandung, E. ; Sherony, M. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 403-406
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Integration Technology of Polymetal (W/WSiN/Poly- 369 Si) Dual Gate CMOS for 1Gbit DRAMs and Beyond
    Hiura, Y. ; Azuma, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1998, S. 389-392
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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