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    LTMS: a lightweight trust management system for wireless medical sensor networks.
    Hajar, Muhammad Shadi ; Al-Kadri, M. Omar ; et al.
    2021
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Steady-State Semi-Analytical Modeling of p-Doped Quantum Dot Lasers Thermal Characteristics and Extrapolation to Membrane Lasers
    Chobé, Mattéo ; Hassan, Karim ; et al.
    In: ISSN: 0018-9197 ; IEEE Journal of Quantum Electronics ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04509889 ; IEEE Journal of Quantum Electronics, 2024, 60 (1), pp.1-9. ⟨10.1109/JQE.2023.3342180⟩, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Steady-State Semi-Analytical Modeling of p-Doped Quantum Dot Lasers Thermal Characteristics and Extrapolation to Membrane Lasers
    Chobé, Mattéo ; Hassan, Karim ; et al.
    In: ISSN: 0018-9197 ; IEEE Journal of Quantum Electronics ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-04509889 ; IEEE Journal of Quantum Electronics, 2024, 60 (1), pp.1-9. ⟨10.1109/JQE.2023.3342180⟩, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On the Fly Ellipsometry Imaging for Process Deviation Detection
    Alcaire, T. ; Le Cunff, D. ; et al.
    In: ISSN: 0894-6507 ; IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing ; https://hal.science/hal-03746552 ; IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2022, 35 (3), pp.432-438. ⟨10.1109/TSM.2022.3183257⟩, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    On the Fly Ellipsometry Imaging for Process Deviation Detection
    Alcaire, T. ; Le Cunff, D. ; et al.
    In: ISSN: 0894-6507 ; IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing ; https://hal.science/hal-03746552 ; IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2022, 35 (3), pp.432-438. ⟨10.1109/TSM.2022.3183257⟩, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    On the Fly Ellipsometry Imaging for Process Deviation Detection
    Alcaire, T. ; Le Cunff, D. ; et al.
    In: ISSN: 0894-6507 ; IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing ; https://hal.science/hal-03746552 ; IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2022, 35 (3), pp.432-438. ⟨10.1109/TSM.2022.3183257⟩, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Innovative Low-Power Self-Nanoconfined Phase-Change Memory
    Serra, Anna Lisa ; Lefevre, Gauthier ; et al.
    In: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://cea.hal.science/cea-03119677 ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (2), pp.535-540. ⟨10.1109/TED.2020.3044267⟩, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Innovative Low-Power Self-Nanoconfined Phase-Change Memory
    Serra, Anna Lisa ; Lefevre, Gauthier ; et al.
    In: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://cea.hal.science/cea-03119677 ; IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (2), pp.535-540. ⟨10.1109/TED.2020.3044267⟩, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Innovative Low-Power Self-Nanoconfined Phase-Change Memory
    Serra, Anna Lisa ; Lefevre, Gauthier ; et al.
    In: ISSN: 0018-9383 ; IEEE Transactions on Electron Devices ; https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03119677 ; IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021, 68 (2), pp.535-540. ⟨10.1109/TED.2020.3044267⟩, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Analysis by HR-STEM of the Strain Generation in InP after SiNx Deposition and ICP Etching
    Gutiérrez, M. ; Reyes, Df ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Analysis by HR-STEM of the Strain Generation in InP after SiNx Deposition and ICP Etching
    Gutiérrez, M. ; Reyes, Df ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Analysis by HR-STEM of the Strain Generation in InP after SiNx Deposition and ICP Etching
    Gutiérrez, M. ; Reyes, Df ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Analysis by HR-STEM of the Strain Generation in InP after SiNx Deposition and ICP Etching
    Gutiérrez, M. ; Reyes, DF ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Mechanical Stress in InP Structures Etched in an Inductively Coupled Plasma Reactor with Ar/Cl-2/CH4 Plasma Chemistry
    Landesman, Jean-Pierre ; Cassidy, Daniel, T ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Mechanical Stress in InP Structures Etched in an Inductively Coupled Plasma Reactor with Ar/Cl-2/CH4 Plasma Chemistry
    Landesman, Jean-Pierre ; Cassidy, Daniel, T ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Mechanical Stress in InP Structures Etched in an Inductively Coupled Plasma Reactor with Ar/Cl-2/CH4 Plasma Chemistry
    Landesman, Jean-Pierre ; Cassidy, Daniel, T ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Mechanical Stress in InP Structures Etched in an Inductively Coupled Plasma Reactor with Ar/Cl-2/CH4 Plasma Chemistry
    Landesman, Jean-Pierre ; Cassidy, Daniel, T ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Mechanical Stress in InP Structures Etched in an Inductively Coupled Plasma Reactor with Ar/Cl-2/CH4 Plasma Chemistry
    Landesman, Jean-Pierre ; Cassidy, Daniel ; et al.
    In: ISSN: 0361-5235, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Single-Mode Photonic Crystal Nanobeam Lasers Monolithically Grown on Si for Dense Integration
    Zhou, Taojie ; Tang, Mingchu ; et al.
    In: ISSN: 1077-260X ; IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03867625 ; IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2022, 28 (3), pp.1-6. ⟨10.1109/JSTQE.2021.3133546⟩, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Single-Mode Photonic Crystal Nanobeam Lasers Monolithically Grown on Si for Dense Integration
    Zhou, Taojie ; Tang, Mingchu ; et al.
    In: ISSN: 1077-260X ; IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03867625 ; IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2022, 28 (3), pp.1-6. ⟨10.1109/JSTQE.2021.3133546⟩, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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