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    A Simple Method to Grow Thermal SiO2 Interlayer for High-Performance SPC Poly-Si TFTs Using Al2O3 Gate Dielectric
    MENG, ZHANG ; WEI, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 548-550
    Online academicJournal
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    N-Face Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors With A1N Back-Barrier
    MAN HOI, WONG ; YI, PEI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 10, S. 1101-1104
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High-Performance Pentacene Thin-Film Transistor With High-κ HfLaON as Gate Dielectric
    CHUAN YU, HAN ; WING MAN, TANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 11, S. 1397-1399
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Bottom-Gate Thin-Film Transistors Based on GaN Active Channel Layer
    RONGSHENG, CHEN ; WEI, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 4, S. 517-519
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Top-Gate GaN Thin-Film Transistors Based on AIN/GaN Heterostructures
    RONGSHENG, CHEN ; WEI, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 9, S. 1282-1284
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Self-Aligned Indium―Gallium―Zinc Oxide Thin-Film Transistor With Phosphorus-Doped Source/Drain Regions
    RONGSHENG, CHEN ; WEI, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 8, S. 1150-1152
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Enhancement-Mode N-Polar GaN MOS-HFET With 5-nm GaN Channel, 510-mS/mm gm, and 0.66-Ω · mm Ron
    SINGISETTI, Uttam ; MAN HOI, WONG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 26-28
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CAVET on Bulk GaN Substrates Achieved With MBE-Regrown AlGaN/GaN Layers to Suppress Dispersion
    CHOWDHURY, Srabanti ; WONG, Man Hoi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 41-43
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Bridged-Grain Solid-Phase-Crystallized Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors
    WEI, ZHOU ; ZHIGUO, MENG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 10, S. 1414-1416
    Online academicJournal
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    RF Performance of Deep-Recessed N-Polar GaN MIS-HEMTs Using a Selective Etch Technology Without Ex Situ Surface Passivation
    KOLLURI, Seshadri ; BROWN, David F ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 2, S. 134-136
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Enhancement-Mode N-Polar GaN MISFETs With Self-Aligned Source/Drain Regrowth
    SINGISETTI, Uttam ; MAN HOI, WONG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 2, S. 137-139
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High-Performance N-Face GaN Microwave MIS-HEMTs With > 70% Power-Added Efficiency
    MAN HOI, WONG ; YI, PEI ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 8, S. 802-804
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Reduced Mask-Count Technology for Complementary Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors With Self-Aligned Metal Electrodes
    DONGLI, ZHANG ; KWOK, Hoi-Sing ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 1, S. 33-35
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The Effect of Field Oxide Recess on Cell VTH Distribution of NAND Flash Cell Arrays
    PARK, Mincheol ; LEE, Chang-Sub ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 9, S. 1050-1052
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The effect of trapped charge distributions on data retention characteristics of NAND flash memory cells
    PARK, Mincheol ; SUH, Kangdeog ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 8, S. 750-752
    Online academicJournal
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    Impact of CF4 plasma treatment on GaN
    RONGMING, CHU ; CHANG SOO, SUH ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 9, S. 781-783
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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