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    CMOS smart sensor for monitoring the quality of perishables
    UENO, Ken ; HIROSE, Tetsuya ; et al.
    In: 2006 Symposium on VLSI circuits, Jg. 42 (2007), Heft 4, S. 798-803
    Online Konferenz
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    Deposition of Carbon Nanotubes on CMOS
    XIAOZHI, WANG ; YAN, ZHANG ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 2, S. 215-219
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Design-in-Reliable Millimeter-Wave Power Amplifiers in a 65-nm CMOS Process
    QUEMERAIS, Thomas ; MOQUILLON, Laurence ; et al.
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 60 (2012), Heft 4, S. 1079-1085
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    CMOS device and circuit degradations subject to HfO2 gate breakdown and transient charge-trapping effect
    CHUANZHAO, YU ; YUAN, J. S
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 1, S. 59-67
    Online academicJournal
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    CMOS circuit performance enhancement by surface orientation optimization
    LELAND, CHANG ; MEIKEI, IEONG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 51 (2004), Heft 10, S. 1621-1627
    Online academicJournal
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    A scalable high-voltage output driver for low-voltage CMOS technologies
    MENTZE, Erik J ; HESS, Herbert L ; et al.
    In: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 14 (2006), Heft 12, S. 1347-1353
    Online academicJournal
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    Gate bias effect on the 60-MeV proton irradiation response of 65-nm CMOS nMOSFETs
    SIMOEN, Eddy ; JURCZAK, Malgorzata ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 8, S. 1815-1820
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Voltage Ramp Stress for Hot-Carrier Screening of Scaled CMOS Devices
    KERBER, A ; MCMAHON, W ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 749-751
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    ESD implantations for on-chip ESD protection with layout consideration in 0.18-μm salicided CMOS technology
    KER, Ming-Dou ; CHUANG, Che-Hao ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 18 (2005), Heft 2, S. 328-337
    Online academicJournal
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    Post-linearization of cascode CMOS low noise amplifier using folded PMOS IMD sinker
    KIM, Tae-Sung ; KIM, Byung-Sung
    In: IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 16 (2006), Heft 4, S. 182-184
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Impact of Hot Carriers on nMOSFET Variability in 45- and 65-nm CMOS Technologies : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    MAGNONE, Paolo ; CRUPI, Felice ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2347-2353
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Suppression of Flicker Noise Up-Conversion in a 65-nm CMOS VCO in the 3.0-to-3.6 GHz Band
    PEPE, Federico ; BONFANTI, Andrea ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 48 (2013), Heft 10, S. 2375-2389
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Refinement of the subthreshold slope modeling for advanced bulk CMOS devices
    POUYDEBASQUE, Arnaud ; CHARBUILLET, Clément ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 10, S. 2723-2729
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    SET/CMOS hybrid process and multiband filtering circuits
    SONG, Ki-Whan ; YONG KYU, LEE ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 8, S. 1845-1850
    Online academicJournal
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    MOSFET ESD breakdown modeling and parameter extraction in advanced CMOS technologies
    VASSILEV, Vesselin ; LORENZINI, Martino ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 9, S. 2108-2117
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    New Ballasting Layout Schemes to Improve ESD Robustness of I/O Buffers in Fully Silicided CMOS Process
    KER, Ming-Dou ; CHEN, Wen-Yi ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 56 (2009), Heft 12, S. 3149-3159
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    32 dBm Power Amplifier on 45 nm SOI CMOS
    WILK, Seth J ; LEPKOWSKI, William ; et al.
    In: IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 23 (2013), Heft 3, S. 161-163
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A High Gain 77 GHz Power Amplifier Operating at 0.7 V Based on 90 nm CMOS Technology
    HAMADA, Yasuhiro ; TANOMURA, Masahiro ; et al.
    In: IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 19 (2009), Heft 5, S. 329-331
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The impact of deuterated CMOS processing on gate oxide reliability
    HOF, A. J ; HOEKSTRA, E ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 9, S. 2111-2115
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs
    MAJUMDAR, Amian ; OUYANG, Christine ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2067-2072
    Online academicJournal
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