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    Behavior Analysis of an LDD Poly-Si TFT Using 2-D Device Simulation
    KIMURA, Mutsumi
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 3, S. 705-709
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Modeling and Simulation of Charge-Pumping Characteristics for LDD-MOSFET Devices With LOCOS Isolation
    TAHI, Hakim ; DJEZZAR, Boualem ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 11, S. 2892-2901
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Temperature Dependences of I―V Characteristics of SD and LDD Poly-Si TFTs
    KIMURA, Mutsumi ; TAYA, Jun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 5, S. 682-684
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    On-Current Decrease After Erasing Operation in the Nonvolatile Memory Device With LDD Structure
    CHANG, Geng-Wei ; CHANG, Ting-Chang ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1038-1040
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Mechanism Analysis of Off-Leakage Current in an LDD Poly-Si TFT Using Activation Energy
    NAKASHIMA, Akihiro ; KIMURA, Mutsumi
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 6, S. 764-766
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Halo and LDD engineering for multiple VTH high performance analog CMOS devices
    GUO, Jyh-Chyum
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 20 (2007), Heft 3, S. 313-322
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High Performance 70-nm Germanium pMOSFETs With Boron LDD Implants
    HELLINGS, Geert ; MITARD, Jerome ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 1, S. 88-90
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The Channel Length Extension in Poly-Si TFTs With LDD Structure
    ZAN, Hsiao-Wen ; WANG, Kuang-Ming
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 9, S. 1034-1036
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Normally off AlGaN/GaN low-density drain HEMT (LDD-HEMT) with enhanced breakdown voltage and reduced current collapse
    DI, SONG ; JIE, LIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 3, S. 189-191
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    RF power performance of asymmetric-LDD MOS transistor for RF-CMOS SOC design
    KING, Ming-Chu ; TSU, CHANG ; et al.
    In: IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 17 (2007), Heft 6, S. 445-447
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Concurrent Dual Loop, Mixed Mode Control Circuit for 10gb/S Laser Diode Driver (Ldd) Ic WITH 0.13M RF CMOS Technology : Canadian conference on electrical and computer engineering
    Shiri, D. ; Rajabi, M. ; et al.
    In: CANADIAN CONFERENCE ON ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING, Jg. 3 (2005), S. 1747-1750
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    An analytical model for the lateral channel electric field in LDD structures
    YIN, HU ; BOOTH, R. V. H ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 37 (1990), Heft 10, S. 2254-2264
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hot-carrier-induced degradation of LDD polysilicon TFTs
    VALLETTA, A ; MARIUCCI, L ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 1, S. 43-50
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Performance analysis of O3 BPSK LDD for asynchronous CDMA systems in the presence of synchronization errors
    WEN, Jyh-Horng ; WEN, Chao-Kai ; et al.
    In: IEEE transactions on vehicular technology, Jg. 52 (2003), Heft 4, S. 958-969
    Online academicJournal
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    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Performance and reliability evaluation of high dielectric LDD spacer on deep sub-micrometer LDD MOSFET
    JYH-CHYUNR, GUO ; CHIH-YUAN, LU ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 41 (1994), Heft 7, S. 1239-1248
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Two-stage hot-carrier degradation and its impact on submicrometer LDD NMOSFET lifetime prediction
    VEI-HAN, CHAN ; CHUNG, J. E
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 42 (1995), Heft 5, S. 957-962
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Source-to-drain breakdown voltage improvement in ultrathin-film SOI MOSFET's using a gate-overlapped LDD structure
    YAMAGUCHI, Y ; IWAMATSU, T ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 41 (1994), Heft 7, S. 1222-1226
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effects of hot carrier induced interface state generation in submicron LDD MOSFET's
    TAHUI, WANG ; CHIMOON, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 41 (1994), Heft 9, S. 1618-1622
    Online academicJournal
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    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    An experimental study of the Fowler-Nordheim tunneling induced degradation of LDD PMOSFET's
    PAN, Y
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 41 (1994), Heft 2, S. 268-271
    Online academicJournal
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    Volltext
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    An asymmetric sidewall process for high performance LDD MOSFET's
    HORIUCHI, T ; HOMMA, T ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 41 (1994), Heft 2, S. 186-189
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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