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    LTPS Pixel Driving Scheme to Improve Motion Blur for AMOLED Displays
    Lee, Jung-Min ; Kang, Chang H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), S. 4950-4957
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    Improvement of Strained Negative Bias Temperature Instability in Flexible LTPS TFTs by a Stress-Release Design
    Wang, Yu-Xuan ; Chang, Ting-Chang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), S. 1532-1537
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    LTPS Active Pixel Circuit With Threshold Voltage Compensation for X-Ray Imaging Applications
    Tu, Cheng-Che ; Karim, Karim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), S. 4216-4220
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    Abnormal ${C}$ –${V}$ Hump Effect Induced by Hot Carriers in Gate Length-Dependent p-Type LTPS TFTs
    Zheng, Yu-Zhe ; Terry Tai-Jui Wang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), S. 4764-4767
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    Suppressing <tex-math notation='LaTeX'>${V_{\mathrm{TH}}}$ </tex-math> Variations in LTPS Thin-Film Transistors With Current Scaling Ratio Modulation for AMOLED Display
    Lee, Po-Ting ; Hsu, Chih-Cheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), S. 3577-3581
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    LTPS Thin-Film Transistors Fabricated Using New Selective Laser Annealing System
    Sugawa, Shigetoshi ; Saito, Kaori ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), S. 3250-3256
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    Electrical Properties of Metal-Induced Laterally Crystallized p-Type LTPS-TFT With High- <tex-math notation='LaTeX'>$\kappa $ </tex-math> ZrTiO4Gate Dielectric Featuring Low Equivalent-Oxide-Thickness
    Ji Su Han ; Seung Ki Joo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), S. 2391-2397
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    New Voltage-Programmed AMOLED Pixel Circuit to Compensate for Nonuniform Electrical Characteristics of LTPS TFTs and Voltage Drop in Power Line
    Lai, Po-Chun ; Chen, Po-Syun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), S. 2454-2458
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    LTPS AM-OLED Display Consisting of Two-TFTs/One-Capacitor Pixel Circuits for Producing High-Uniformity Images
    Kageyama, Hiroshi ; Nakamura, Norihiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), S. 3780-3786
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    Asymmetric Driving Current Modification of CMOS LTPS-TFTs With ${\rm HfO}_{2}$ Gate Dielectric
    William Cheng-Yu Ma
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), S. 930-932
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    The Impact of $\hbox{TiO}_{2}$ Interface Layer on a Pd/n-LTPS Schottky Diode Hydrogen Detecting Performances
    Lin, Kung-Cheng ; Chou, Tse-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-08-01), S. 2013-2018
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Characteristics of $\hbox{HfO}_{2}$ /Poly-Si Interfacial Layer on CMOS LTPS-TFTs With $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Dielectric and $\hbox{O}_{2}$ Plasma Surface Treatment
    Chiang, Tsung-Yu ; Wu, Woei-Cherng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-12-01), S. 3489-3493
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    Reliability Mechanisms of LTPS-TFT With $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Dielectric: PBTI, NBTI, and Hot-Carrier Stress
    Wu, Woei-Cherng ; Chen, Chih-Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), S. 1153-1160
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    An Empirical Defect-Related Photo Leakage Current Model for LTPS TFTs Based on the Unit Lux Current
    Sun, Guo-Pei ; Kuo, Yan-Fu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-05-01), S. 1015-1022
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    One-Time-Programmable Memory in LTPS TFT Technology With Metal-Induced Lateral Crystallization
    Li, Lin ; Chan, Mansun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), S. 145-150
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    Temperature Coefficient of Poly-Silicon TFT and its Application on Voltage Reference Circuit With Temperature Compensation in LTPS Process
    Zan, Hsiao-Wen ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-10-01), S. 2583-2589
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    Compact Analytical Physical-Based Model of LTPS TFT for Active Matrix Displays Addressing Circuits Simulation and Design
    Benzarti, W. ; Pribat, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-03-01), S. 345-350
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    Ultrashallow Junction Formation by Self-Limiting LTP and Its Application to Sub-65-nm Node MOSFETs
    Ashihara, H. ; Goto, Yasushi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-06-01), S. 1165-1171
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    High Performance Dual Gate Blue Laser Annealed Poly-Si Thin-Film Transistor for High-Resolution Displays
    Chang, Yeoungjin ; Jang, Jin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), S. 3863-3869
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    Leakage-Prevention Mechanism to Maintain Driving Capability of Compensation Pixel Circuit for Low Frame Rate AMOLED Displays
    Chen, S.F. ; Chang, Jui-Hung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2313-2319
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