Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
11 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Publikation

Sprache

11 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Stress in Silicon–Germanium Nanowires: Layout Dependence and Imperfect Source/Drain Epitaxial Stressors
    Pourtois, Geoffrey ; Ryckaert, Julien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), S. 5380-5385
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    First Demonstration of Vertically Stacked Gate-All-Around Highly Strained Germanium Nanowire pFETs
    Mitard, Jerome ; Holsteyns, Frank ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), S. 5145-5150
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Strained Germanium Gate-All-Around pMOS Device Demonstration Using Selective Wire Release Etch Prior to Replacement Metal Gate Deposition
    Mocuta, Dan ; Chiu, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4587-4593
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fabrication and Analysis of a ${\rm Si}/{\rm Si}_{0.55}{\rm Ge}_{0.45}$ Heterojunction Line Tunnel FET
    Valipe Ramgopal Rao ; Hikavyy, Andriy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), S. 707-715
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Boron Delta-Doping Dependence on Si/SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes Grown by Chemical Vapor Deposition
    Berger, Paul R. ; Vandervorst, Wilfried ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), S. 602-609
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Layout Scaling of $\hbox{Si}_{1-x}\hbox{Ge}_{x} \hbox{-Channel}$ pFETs
    Yamaguchi, S. ; Kobayashi, Masaharu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), S. 2544-2550
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Stress Analysis and Junction Leakage of Sub-Melt Laser Annealed SiGe Epitaxial Layers
    Loo, Roger ; Hikavyy, Andriy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 23 (2010-11-01), S. 538-544
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Impact of the Ge Content on the Bandgap-Narrowing Induced Leakage Current of Recessed $\hbox{Si}_{1 - x}\hbox{Ge}_{x}$ Source/Drain Junctions
    Loo, Roger ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-07-01), S. 1418-1423
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Advances in Linear Modeling of Microwave Transistors
    A. Zarate-de Landa ; José Raúl Loo-Yau ; et al.
    In: IEEE Microwave Magazine, Jg. 10 (2009-04-01), S. 100-111
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Strain Enhanced nMOS Using In Situ Doped Embedded $\hbox{Si}_{1 - x}\hbox{C}_{x}$ S/D Stressors With up to 1.5% Substitutional Carbon Content Grown Using a Novel Deposition Process
    Bender, Hugo ; Machkaoutsan, Vladimir ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-11-01), S. 1206-1208
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Very-high-bandwidth In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As p-i-n detector arrays
    Pikulski, J.L. ; Lui, Y. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 3 (1991-10-01), S. 931-933
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -