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    A 0.55V 10-Bit 100-MS/s SAR ADC With 3.6-fJ/Conversion-Step in 28nm CMOS for RF Receivers
    Chen, Chao ; Yang, Jun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-06-01), S. 1811-1815
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    A 16b 120MS/s Pipelined ADC Using an Auxiliary-Capacitor-Based Calibration Technique Achieving 90.5dB SFDR in 0.18 μm CMOS
    Xu, Honglin ; Sun, Jie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-03-01), S. 809-813
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    Power Performance Analysis of Digital Standard Cells for 28 nm Bulk CMOS at Cryogenic Temperature Using BSIM Models
    Chakraborty, Wriddhi ; Cao, Yu ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 7 (2021-12-01), S. 193-200
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    Ultra-Low-Voltage UTBB-SOI-Based, Pseudo-Static Storage Circuits for Cryogenic CMOS Applications
    S. S. Teja Nibhanupudi ; Siddhartha Raman Sundara Raman ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 7 (2021-12-01), S. 201-208
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    Generalized Relationship Between Frequency Response and Settling Time of CMOS OTAs: Toward Many-Stage Design
    Roberts, Gordon W. ; Mohammed, Mahmood A.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 68 (2021-12-01), S. 4993-5006
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    Characterization and Modeling of 22 nm FDSOI Cryogenic RF CMOS
    Gomez, Jorge ; Fay, Patrick ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 7 (2021-12-01), S. 184-192
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    Toward Monolithically Integrated Hybrid CMOS-NEM Circuits
    Horace-Herron, Kelsey ; Usai, Giulia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6430-6436
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    0.6-V-V IN 7.0-nA-I Q 0.75-mA-I L CMOS Capacitor-Less LDO for Low-Voltage Micro-Energy-Harvested Supplies
    Lopez, Paula ; Pereira-Rial, Oscar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 69 (2022-02-01), S. 599-608
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    A Scalable 20V Charge-Pump-Based Driver in 65nm CMOS Technology
    Ibrahim, Sameh A. ; Chih-Kong Ken Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 69 (2022), S. 55-59
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    Submicrowatt CMOS Rectifier for a Fully Passive Wake-Up Receiver
    Grosinger, Jasmin ; Steffan, Christoph ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 69 (2021-11-01), S. 4803-4812
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    A Three-Stage Charge Pump With Forward Body Biasing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS
    Petraglia, A. ; Pinheiro, Carlos A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 68 (2021-11-01), S. 4810-4819
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    A Fully Integrated Cryo-CMOS SoC for State Manipulation, Readout, and High-Speed Gate Pulsing of Spin Qubits
    Suzuki, Satoshi ; Lampert, Lester ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-11-01), S. 3289-3306
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    A 73dB-A Audio VCO-ADC Based on a Maximum Length Sequence Generator in 130nm CMOS
    Pedro Augusto Borrego Lambin Torres Amaral ; Wiesbauer, Andreas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-10-01), S. 3194-3198
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    200-MHz Single-Ended 6T 1-kb SRAM With 0.2313 pJ Energy/Access Using 40-nm CMOS Logic Process
    Wang, Chua-Chin ; Kuo, Chien-Ping
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-09-01), S. 3163-3166
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    A 600-μm² Ring-VCO-Based Hybrid PLL Using a 30-μW Charge-Sharing Integrator in 28-nm CMOS
    Li, Qiang ; Yang, Shiheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-09-01), S. 3108-3112
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    Why and How ITRS Worked to Recover the Breakdown of 'Scaling Law' in 2000s—Structural Frame Analysis of Si-CMOS Semiconductor Technologies
    Yasunaga, Yuko
    In: IEEE Transactions on Engineering Management, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1179-1194
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    CMOS Detector Using Customized Bolt-Wrench Capacitor on Backend Oxide Layer
    Hyo Jin Lee ; Lee, Ga-Eun ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-08-01), S. 1012-1015
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    A 0.007 mm2 0.6 V 6 MS/s Low-Power Double Rail-to-Rail SAR ADC in 65-nm CMOS
    Ju Eon Kim ; Tony Tae-Hyoung Kim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-09-01), S. 3088-3092
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    BTI-Aware Timing Reliability Improvement of Pulsed Flip-Flops in Nano-Scale CMOS Technology
    Raji, Mohsen ; Jafari, Atousa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 21 (2021-09-01), S. 379-388
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    TID and Heavy-Ion Performance of an RHBD Multichannel Digitizer in 180-nm CMOS
    Quilligan, G. ; Aslam, S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-07-01), S. 1414-1422
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