Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
358 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Publikation

Sprache

358 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Preparation and Application of Sol-Gel Polishing Pad for Polishing CVD Single Crystal Diamond at High Speed
    Lu, Jing ; Deng, Ao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 35 (2022-05-01), S. 318-323
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Highly Stacked GeSn Nanosheets by CVD Epitaxy and Highly Selective Isotropic Dry Etching
    Huang, Bo-Wei ; Tsai, Chung-En ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), S. 2130-2136
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Depletion-Mode β-Ga2O3 MOSFETs Grown by Nonvacuum, Cost-Effective Mist-CVD Method on Fe-Doped GaN Substrates
    Xu, Yu ; Zhang, Chunfu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), S. 1196-1199
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    On the ESD Behavior of Large-Area CVD Graphene Transistors: Physical Insights and Technology Implications
    Kranthi Karmel Nagothu ; Meersha, Adil ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), S. 743-751
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Influence and Suppression of Harmful Effects Due to By-Product in CVD Reactor for 4H-SiC Epitaxy
    Ishiguro, Akio ; Ishii, Shigeaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-08-01), S. 340-345
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Process Optimization and Modeling of the Silicon Growth in Trichlorosilane-Hydrogen Gas Mixture in a Planetary CVD Reactor
    Park, Chan-Woo ; Ramadan, Zaher ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-02-01), S. 1-8
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Demonstration of 40-nm Channel Length Top-Gate p-MOSFET of WS2 Channel Directly Grown on SiO$_{{x}}$ /Si Substrates Using Area-Selective CVD Technology
    Lin, Chao-Ting ; Li, Kai-Shin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), S. 5381-5386
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Multilayer CVD-Graphene and MoS₂ Ethanol Sensing and Characterization Using Kretschmann-Based SPR
    Burhanuddin Yeop Majlis ; Mohd Ambri Mohamed ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1227-1235
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Scalable, Tunable Josephson Junctions and DC SQUIDs Based on CVD Graphene
    Romans, E.J. ; Li, Tianyi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 29 (2019-08-01), S. 1-4
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fluorine Effects Originating From the CVD-W Process on Charge-Trap Flash Memory Cells
    Hyun Jun Ahn ; Byung Jin Cho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), S. 378-382
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO2 Passivation on Performance and Reliability of In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors
    S. G. Mehadi Aman ; Furuta, Mamoru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), S. 3257-3263
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Modeling of Epitaxial Silicon Growth From the DCS-H2-HCl System in a Large Scale CVD Reactor
    Hamada Mohamed Abdelmotalib ; Ramadan, Zaher ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-08-01), S. 363-370
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electromigration Characteristics and Morphological Evolution of Cu Interconnects on CVD Co and Ru Liners for 10-nm Class VLSI Technology
    Joo, Young-Chang ; Lee, Sol-Kyu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), S. 1050-1053
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Metal–Insulator–Graphene Diode Mixer Based on CVD Graphene-on-Glass
    Saeed, Mohamed ; Neumaier, Daniel ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-07-01), S. 1104-1107
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Vertically Stacked Strained 3-GeSn-Nanosheet pGAAFETs on Si Using GeSn/Ge CVD Epitaxial Growth and the Optimum Selective Channel Release Process
    Ya-Jui, Tsou ; Huang, Yu-Shiang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-09-01), S. 1274-1277
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CVD Growth Technologies of Layered MX2 Materials for Real LSI Applications—Position and Growth Direction Control and Gas Source Synthesis
    Endo, K. ; Koga, Kazuhiro ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1159-1163
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improved Hysteresis and Reliability of MoS2Transistors With High-Quality CVD Growth and Al2O3Encapsulation
    Knobloch, Theresia ; Smithe, Kirby K. H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1763-1766
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Characterization of the CVD Graphene Monolayer as an Active Element of a One-Port Microwave Device
    Zdrojek, Mariusz ; Judek, Jarosław ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 4340-4345
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-Temperature ICP-CVD SiN x as Gate Dielectric for GaN-Based MIS-HEMTs
    Dutta, Gourab ; DasGupta, Nandita ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), S. 4693-4701
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High-Mobility CVD-Grown Ge/Strained Ge0.9Sn0.1/Ge Quantum-Well pMOSFETs on Si by Optimizing Ge Cap Thickness
    Huang, Chih-Hao ; Chu, Schubert S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-06-01), S. 2498-2504
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -