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    Optimising 1550 nm InGaAsP strain compensated MQW lasers close to the miscibility gap
    CRUMP, P. A ; LAGE, H ; et al.
    In: Semiconductor optoelectronics, Jg. 145 (1998), Heft 1, S. 7-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MBE grown strain-compensated AlGalnAs/AlGalnAs/InP MQW laser structures
    HILLMER, H ; LÖSCH, R ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 31 (1995), Heft 16, S. 1346-1348
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High performance InGaAsP/InP strained-layer MQW lasers with reversed-mesa ridge-waveguides structures
    AOKI, M ; KOMORI, M ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 31 (1995), Heft 12, S. 973-975
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Wide temperature-range singlemode operation of MQW gain-coupled DFB lasers
    MAKINO, T ; LU, H
    In: Electronics Letters, Jg. 30 (1994), Heft 23, S. 1948-1950
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Enhanced relaxation oscillation frequency and reduced nonlinear K-factor in InGaAs/InGaAsP MQW λ/4-shfted DFB lasers
    AOKI, M ; UOMI, K ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 26 (1990), Heft 22, S. 1841-1843
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Set and reset operation dependence on input light intensity of a side-light-injection MQW bistable laser
    UENOHARA, H ; KAWAMURA, Y ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993), Heft 18, S. 1609-1611
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Side-light-injection MQW bistable laser using saturable absorption and gain quenching
    UENOHARA, H ; KAWAMURA, Y ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 21, S. 1973-1975
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Long-wavelength high-efficiency low-threshold InGaAsP/InP MQW lasers with compressive strain
    DAVIES, M ; DION, M ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 21, S. 2004-2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of carrier transport on wavelength chirp of InGaAs/InGaAsP MQW lasers
    WRIGHT, A. P ; GARRETT, B ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 20, S. 1911-1913
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High speed ultralow chirp 1.55μm MBE grown GaInAs/AlGaInAs MQW DFB lasers
    BLEZ, M ; KAZMIERSKI, C ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 11, S. 1040-1042
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of Zn doping on differential gain and damping of 1.55μm InGaAs/InGaAsP MQW lasers
    LEALMAN, I. F ; COOPER, D. M ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 11, S. 1032-1034
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low threshold current density of 620 nm band MQW-SCH AlGaInP semiconductor lasers with Mg doped AlInP cladding layer
    In: Electronics Letters, Jg. 27 (1991), Heft 17, S. 1569-1571
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    First DFB GRIN-SCH GalnAs/AlGalnAs 1.55μm MBE MQW active layer buried ridge structure lasers
    BLEZ, M ; KAZMIERSKI, C ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 27 (1991), Heft 1, S. 93-95
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    242 nm continuous tuning from a GRIN-SC-MQW-BH InGaAsP laser in an extended cavity
    BAGLEY, M ; WYATT, R ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 26 (1990), Heft 4, S. 267-269
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    MBE-grown InGaAlAs 1.5 μm MQW ridge waveguide laser diodes with AlAs etch stop layers
    CHOI, W.-Y ; BROEKAERT, T. P. E ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993), Heft 5, S. 483-485
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low-threshold operation and tensile-strained GaInP/AlGaInP MQW LDs emitting at 625 nm
    TANAKA, T ; YANAGISAWA, H ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993), Heft 8, S. 722-724
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low threshold current, high output power buried heterostructure MQW lasers with strained InGaAsP wells
    SELTZER, C. P ; PERRIN, S. D ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 19, S. 1819-1821
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High performance DFB-MQW lasers at 1•5 μm grown by GSMBE
    PERALES, A ; GOLDSTEIN, L ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 26 (1990), Heft 4, S. 236-238
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High device yield and performance of InGaAsP MQW DFB lasers with absorptive grating
    PARK, S. S ; PARK, S. W ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 43 (2007), Heft 20, S. 1095-1096
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Stable 30 mW operation at 50°C for strained MQW AlGAInP visible laser diodes
    UENO, Y ; FUJII, H ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 28 (1992), Heft 9, S. 860-861
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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