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    24-GHz in-phase/quadrature direct-down converter with integrated quadrature couplers and baluns in standard 0.18 µm CMOS technology.
    Tsou, C. W. ; Chen, C. C. ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Institution of Engineering & Technology), Jg. 5 (2011-06-15), Heft 6, S. 718-727
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    0.5-6 GHz low-voltage low-power mixer using a modified cascode topology in 0.18 µm CMOS technology.
    Liang, K. H. ; Chang, H. Y.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Institution of Engineering & Technology), Jg. 5 (2011-02-01), Heft 2, S. 167-174
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Sixteen-phase CMOS millimetre-wave voltage-controlled oscillator.
    Huang, G. ; Kim, S. K. ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Institution of Engineering & Technology), Jg. 4 (2010-12-01), Heft 12, S. 2057-2061
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully integrated 24 GHz differential active sub-harmonic mixer located in CMOS multi-layer Marchand baluns.
    Wei, C. C. ; Chiu, H. C. ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Institution of Engineering & Technology), Jg. 4 (2010-11-01), Heft 11, S. 1789-1798
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-power CMOS integrated circuits for radio frequency applications.
    Deen, M. J. ; Murji, R. ; et al.
    In: IEE Proceedings -- Circuits, Devices & Systems, Jg. 152 (2005-10-01), Heft 5, S. 509-522
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Low-cost CMOS pulse generator for UWB systems.
    Bourdel, S. ; Bachelet, Y. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 43 (2007-12-06), Heft 25, S. 1425-1427
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS RF power amplifier with reconfigurable transformer.
    Kim, Y. ; Park, C. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 42 (2006-03-30), Heft 7, S. 405-407
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully-integrated concurrent dual-band CMOS power amplifier with switchless matching network.
    Yoon, Y. ; Kim, H. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 47 (2011-05-26), Heft 11, S. 659-661
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Prediction of EMI effects in operational amplifiers by a two-input Volterra series model.
    Fiori, F. ; Crovetti, P. S.
    In: IEE Proceedings -- Circuits, Devices & Systems, Jg. 150 (2003-06-01), Heft 3, S. 185-193
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Low-power high-slew-rate CMOS buffer amplifier for flat panel display drivers.
    Kim, S. K. ; Son, Y. S. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 42 (2006-02-16), Heft 4, S. 214-216
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On-chip transformer-based feedback CMOS power oscillator.
    Xiong, Y. Z.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 41 (2005-02-03), Heft 3, S. 135-137
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    26-34 GHz CMOS mixer.
    Ellinger, F.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 40 (2004-10-28), Heft 22, S. 1417-1419
    academicJournal
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    Wide tuning range W-band Colpitts VCO in 90 nm CMOS.
    Socher, E. ; Jameson, S.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 47 (2011-10-27), Heft 22, S. 1227-1229
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Differentially-tuned low-spur PLL using 65 nm CMOS process.
    Yun, S. J. ; Lee, H. D. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 47 (2011-03-17), Heft 6, S. 369-371
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    65 nm CMOS receiver with 4.2 dB NF and 66 dB gain for 60 GHz applications.
    Wang, N.Y. ; Wu, H. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 47 (2011-01-06), Heft 1, S. 15-17
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    ΔΣ digitised polar transmitter with CMOS switching power amplifier.
    Paek, J. S. ; Lee, H. Y. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 46 (2010-11-11), Heft 23, S. 1551-1553
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    2 GHz controllable power amplifier in standard CMOS process for short-range wireless applications.
    Hella, M. M. ; Ismail, M.
    In: IEE Proceedings -- Circuits, Devices & Systems, Jg. 149 (2002-10-01), Heft 5/6, S. 363-368
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Ultra-high-frequency radio frequency identification reader receiver with 10 dBm input P1 dB and -74 dBm sensitivity in 0.18 μm CMOS.
    Sun, X. G. ; Chi, B. Y. ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 5 (2011-09-01), Heft 5, S. 392-402
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Complementary metal oxide semiconductor class-AB amplifier for global system for mobile communications-enhanced data rates for GSM evolution Tx.
    Aniktar, H.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation, Jg. 5 (2011-08-15), Heft 8, S. 956-962
    Online academicJournal
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    Multi-input differential current conveyor, CMOS realisation and application.
    Horng, J W. ; Hou, C. L. ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 2 (2008-12-01), Heft 6, S. 469-475
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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