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    Rapid slider LPE growth of InAs quantum wells
    Richardson, J. ; Labadi, Z ; et al.
    In: IEE Proceedings - Optoelectronics, Jg. 145 (1998-10-01), S. 297-301
    Online unknown
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    Comparison of light emission from room temperature light emitting diodes with InAs active regions grown by LPE
    Krier, Anthony ; Fisher, Michael
    In: IEE Proceedings - Optoelectronics, Jg. 144 (1997-10-01), S. 287-294
    Online unknown
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    Lateral current injection InGaAs/InAIAs MQW lasers grown by GSMBE/LPE hybrid method
    Iwamura, Hidetoshi ; Noguchi, Y. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993-01-07), S. 102-104
    Online unknown
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    High power 4.6 [micro sign]m LEDs for CO detection grown by LPE
    Sherstnev, Victor V. ; Krier, Anthony ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 35 (1999), S. 1665-1665
    Online unknown
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    High-performance DC-PBH lasers at 1.52 μm by a hybrid MOVPE/LPE process
    Murrell, D.L. ; Wong, S. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 21 (1985-05-23), S. 493-494
    Online unknown
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    Low-threshold InGaAsP/InGaP lasers at 810 nm grown on GaAs substrate by LPE
    Nishi, H. ; Ohsaka, S. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 20 (1984), S. 374-374
    Online unknown
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    Low threshold and low dispersion MOCVD/LPE buried-heterostructure GaAs/GaAlAs lasers
    Azoulay, R. ; Trotte, M. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 20 (1984), S. 857-857
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High reliability of 1.5 μm two-step VPE-LPE-grown DC-PBH lasers
    Yanase, Tomoo ; Nishimoto, H. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 21 (1985), S. 1154-1154
    Online unknown
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    Preparation of CuInS2 on GaP grown by LPE
    Sun, C.Y. ; Hwang, Huey-Liang ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 17 (1981), S. 245-245
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    GaxIn1−xAsyP1−y/Gaxʹ,In1−xʹ,Asyʹ,P1−yʹ, DH visible LED grown on (100) GaAs by LPE in the range of 670–680 nm
    Hiraoka, M. ; Kawanishi, H.
    In: Electronics Letters, Jg. 18 (1982), S. 602-602
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar phototransistors grown by LPE with a current gain of 50 000
    Rey, G. ; Marty, Alain ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 21 (1985), S. 1124-1124
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hybrid LPE/MBE-grown InGaAsP/InP DFB lasers
    Noguchi, Yoshio ; Nagai, Haruo ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 19 (1983), S. 507-507
    Online unknown
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    Improved high-temperature performance of 1.52 (μm InGaAsP laser diodes fabricated by two-step VPE and LPE
    Lang, Roy ; Yanase, Tomoo ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 21 (1985), S. 293-293
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    1.3μm InGaAsP/InP light emitting diodes with internally defined emission area prepared by single-step LPE technique
    Heinen, J.
    In: Electronics Letters, Jg. 18 (1982), S. 23-23
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    LPE growth of InP/InGaAs/InP DH wafers on (100) InP substrates
    Sasaki, T. ; Fukushima, A. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 19 (1983), S. 402-402
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Preserving InP surface corrugations for 1.3 μm GaInAsP/InP DFB lasers from thermal deformation during LPE process
    Okuda, Hajime ; Uematsu, Yutaka ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 19 (1983), S. 215-215
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of substrate orientation on electrical properties of LPE-grown InP
    Akita, Kenzo ; Yamaguchi, A. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 17 (1981), S. 921-921
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Electron mobility in degenerate tellurium doped In0.53Ga0.47As LPE layers
    Robson, P.N. ; Claxton, P.A. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 18 (1982), S. 213-213
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-loss straight and curved ridge waveguides in LPE-grown GainAsP
    Doeksen, D.K. ; Groen, FH ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 25 (1989), S. 1330-1330
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    MBE-grown InGaAs/InP BH lasers with LPE burying layers
    Nagai, Haruo ; Asahi, Hajime ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 18 (1982), S. 91-91
    Online unknown
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