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    Capacitor‐reused CMOS temperature sensor with duty‐cycle‐modulated output and 0.38°C () inaccuracy
    Fang, Yun ; Shi, Zheng ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 54 (2018-05-01), S. 568-570
    Online unknown
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    Silicon photodetectors with triple p–n junctions in CMOS technology at 650‐ and 850‐nm wavelengths
    Hsin, Y.-M. ; Zhong, Y.-N. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 52 (2016-09-01), S. 1707-1708
    Online unknown
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    Temperature dependence of gate induced drain leakage current in silicon CMOS devices
    Rais, K. ; Balestra, F. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 30 (1994-01-06), S. 32-34
    Online unknown
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    ISFET threshold voltage programming in CMOS using hot-electron injection
    Toumazou, C. ; Georgiou, Pantelis
    In: Electronics Letters, Jg. 45 (2009), S. 1112-1112
    Online unknown
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    CMOS-SOI platform for monolithic integration of crystalline silicon MEMS
    Verd, Jaume ; Uranga, Arantxa ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 42 (2006), S. 800-800
    Online unknown
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    Photo-battery fabricated in silicon on sapphire CMOS
    Andreou, Andreas G. ; Marwick, M.A.
    In: Electronics Letters, Jg. 44 (2008), S. 766-766
    Online unknown
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    Performance comparison of substrate coupling effect between silicon and SOI substrates in RF-CMOS technology
    Biard, C. ; Bardy, Serge ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 42 (2006), S. 1151-1151
    Online unknown
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    Improvement of current drivability in high‐scalable tunnel field‐effect transistors with CMOS compatible self‐aligned process
    Sun, M.-C. ; Park, Byeoung-Soo ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 52 (2016-06-01), S. 1071-1072
    Online unknown
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    High-sensitivity 1 Gbit/s CMOS receiver integrated with GaAs- or InGaAs-photodiode by wafer-bonding
    Tsuda, Hiroyuki ; Tateno, Kouta ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 37 (2001), S. 781-781
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High-output-impedance CMOS dual-output OTA suitable for wide-range continuous-time filtering applications
    Zeki, Ali ; Kuntman, Hakan
    In: Electronics Letters, Jg. 35 (1999), S. 1295-1295
    Online unknown
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    Measured attenuation of coplanar waveguide on CMOS grade silicon substrates with polyimide interface layer
    Katehi, Linda P. B. ; Ponchak, George E.
    In: Electronics Letters, Jg. 34 (1998), S. 1327-1327
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hybrid integration of GaAs pin-photodiodes with CMOS transimpedance amplifier circuits
    Tsuda, Hiroyuki ; Matsuo, Shinji ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 34 (1998), S. 1352-1352
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fabrication technology of polysilicon resistors using novel mixed process for analogue CMOS applications
    Kim, JS ; Lee, D.W. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 35 (1999), S. 603-603
    Online unknown
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    Temperature dependence of substrate current in silicon CMOS devices
    Rais, K. ; Ghibaudo, Gerard ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993), S. 778-778
    Online unknown
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    Very fast CMOS glitch detector
    Sansoe, Claudio ; Reyneri, Leonardo
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993), S. 185-185
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS ternary logic circuits
    Prosser, F.P. ; Wu, X.W.
    In: IEE Proceedings G Circuits, Devices and Systems, Jg. 137 (1990), S. 21-21
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of 0.25 [micro sign]m dual gate oxide thickness CMOS process on flicker noise performance of multifingered deep-submicron MOS devices
    Chew, K.W. ; Wang, Y.M. ; et al.
    In: IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems, Jg. 148 (2001), S. 312-312
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Silicon-on-insulator CMOS transistors in dual electron beam recrystallised polysilicon
    Davis, J.R. ; McMahon, R.A. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 20 (1984), S. 500-500
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS circuits made in lamp-recrystallised silicon-on-insulator
    Vu, D.P. ; Bensahel, D. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 20 (1984), S. 298-298
    Online unknown
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    CMOS/SIMOX devices having a radiation hardness of 2 Mrad(Si)
    Ohno, T. ; Shimaya, M. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 23 (1987), S. 141-141
    Online unknown
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