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    Special microwave‐assisted one‐pot synthesis of low loading Pt–Ru alloy nanoparticles on reduced graphene oxide for methanol oxidation
    Chu, Youqun ; Zhao, Di ; et al.
    In: Micro & Nano Letters, Jg. 9 (2014), S. 50-54
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    Highly conducting carbon nanotube composite for electric heating unit applications
    Chu, K.-M. ; Park, Sung-Hoon
    In: Electronics Letters, Jg. 49 (2013), S. 133-135
    Online unknown
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    Impact of 0.25 [micro sign]m dual gate oxide thickness CMOS process on flicker noise performance of multifingered deep-submicron MOS devices
    Chew, K.W. ; Wang, Y.M. ; et al.
    In: IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems, Jg. 148 (2001), S. 312-312
    Online unknown
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    High-transconductance p-type SiGe modulation-doped field-effect transistor
    Fay, Patrick ; Chu, J. O. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 31 (1995), S. 680-680
    Online unknown
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    Quantum-well intersub-band electroluminescent diode at λ = 5μm
    Hutchinson, Albert L. ; Capasso, Federico ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 29 (1993), S. 2230-2230
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    (InAs)1/(GaAs)4 Superlattice strained quantum well laser at 980 nm
    Dutta, Niloy K. ; Chand, Naresh ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 27 (1991), S. 2009-2009
    Online unknown
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    Room temperature photopumped 1.5 μm quantum well surface emitting lasers with InGaAsP/InP distributed Bragg reflectors
    Sergent, A.M. ; Wynn, J. D. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 27 (1991), S. 1540-1540
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Use of implant isolation for fabrication of vertical cavity surface-emitting laser diodes
    Wang, K.-W. ; Tai, K. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 25 (1989), S. 1644-1644
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    MOVPE InGaAs/InP grown directly on GaAs substrates
    Joyner, Charles H. ; Cheng, C.L. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 22 (1986), S. 1186-1186
    Online unknown
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