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    A low‐noise current‐reused CMOS active inductor by exploiting G m ‐boosting technique
    Sabbaghi, Abdollah ; Ebrahimi, Emad
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation, Jg. 15 (2021-11-09), S. 1914-1926
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    Single event transient mitigation techniques for a cross‐coupled LC oscillator, including a single‐event transient hardened CMOS LC‐VCO circuit
    Karthigeyan, Arumugam ; Manikandan, Esakkimuthu ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 16 (2021-08-28), S. 178-188
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    Static power model for CMOS and FPGA circuits
    Razzaq, Anas ; Ye, Andy
    In: IET Computers & Digital Techniques, Jg. 15 (2021-03-23), S. 263-278
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    Low‐power hybrid memristor‐CMOS spiking neuromorphic STDP learning system
    Janaina Gonçalves Guimarães ; Maranhao, Gabriel
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 15 (2021-03-11), S. 237-250
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    3‐5 GHz multifinger CMOS LNA using a simultaneous noise and impedance matching technique by a significant reduction of broadband impedance variation of metal–oxide–semiconductor field effect transistor
    Reza, Sakib ; Roy, Apratim
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-10-01), S. 956-965
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    Symbiotic organisms search algorithm for optimal design of CMOS two‐stage op‐amp with nulling resistor and robust bias circuit
    Bishnu Prasad De ; Ghosh, Sumalya ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-07-12), S. 679-688
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    Four‐stage CMOS amplifier: frequency compensated using differential block
    Khalesi, Hassan ; Ghods, Vahid ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-08-31), S. 762-769
    Online unknown
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    Sizing of the CMOS 6T‐SRAM cell for NBTI ageing mitigation
    Chenouf, Amel ; Bentarzi, Hamid ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-04-30), S. 555-561
    Online unknown
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    6.25 GHz, 1 mV input resolution auxiliary circuit assisted comparator in 65 nm CMOS process
    Nithin Kumar Y., B ; Bonizzoni, Edoardo ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-03-06), S. 340-346
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    Ultra‐low voltage, power efficient continuous‐time filters in 180 nm CMOS technology
    Rekha, S. ; Vasantha Moodabettu Harishchandra ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-10-01), S. 988-997
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    1.2 V 10‐bits 40 MS/s CMOS SAR ADC for low‐power applications
    Lu, Chi-Chang ; Huang, Ding-Ke
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-08-30), S. 857-862
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High‐Q second‐order all‐pass delay network in CMOS
    Piotr Jan Osuch ; Stander, Tinus
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2018-12-03), S. 153-162
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    Analytical distortion calculation method for CMOS amplifier stages
    Zhang, Ailin ; Shi, Guoyong
    In: Electronics Letters, Jg. 56 (2020-07-01), S. 696-698
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    All‐digital delay line‐based time difference amplifier in 65 nm CMOS technology
    Saneei, Mohsen ; Razmdideh, Ramin
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-04-30), S. 421-427
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    14.5 fJ/conversion‐step 9‐bit 100‐kS/s non‐binary weighted dual capacitor array based area and energy efficient SAR ADC in 90 nm CMOS
    Jagadish Dasarahalli Narasimaiah ; Mujoor Shankaranarayana Bhat
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 12 (2018-10-23), S. 671-680
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Impact of designer knowledge in the interactive evolutionary optimisation of analogue CMOS ICs by using iMTGSPICE
    Salvador Pinillos Gimenez ; Rodrigo Alves de Lima Moreto ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 55 (2019), S. 16-18
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low‐power 10‐bit 100 MS/s pipelined ADC in digital CMOS technology
    Rawat, Veena ; Agarwal, Alpana ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 11 (2017-09-21), S. 589-596
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    CMOS depth sensor with programmable filter circuits for environment‐adaptive noise suppression
    Chun, Jung-Hoon ; Kim, Seong-Jin ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 54 (2018-09-01), S. 1122-1124
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    1.2 V, 12.5 MHz fourth‐order low‐pass filter with 83 dB stopband attenuation using low output impedance source follower in 45 nm CMOS
    Parhi, Abhipsa ; Panigrahi, Antaryami
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 12 (2018-04-17), S. 382-389
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    65‐nm CMOS low‐energy RNS modular multiplier for elliptic‐curve cryptography
    Joachim Neves Rodrigues ; Andersson, Oskar ; et al.
    In: IET Computers & Digital Techniques, Jg. 12 (2017-12-15), S. 62-67
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