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    Uncooled CMOS fully integrated antenna‐coupled terahertz thermal detector
    Wang, Xu
    In: Micro & Nano Letters, Jg. 15 (2020-11-01), S. 930-933
    Online unknown
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    Analysis and mathematical modelling of charge injection effect for efficient performance of CMOS imagers and CDS circuit
    Tiwari, Ashish ; Talwekar, R. H.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-10-01), S. 1038-1048
    Online unknown
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    Compact on‐chip millimetre wave bandpass filters with meandered grounding resonator in 0.13‐μm (Bi)‐CMOS technology
    Tu, Zhi-Hong ; Yang, Yang ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation, Jg. 14 (2020-03-31), S. 559-565
    Online unknown
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    Modelling and kink correction of bulk CMOS at liquid helium temperature
    Xu, Jun ; Guo, Guo-Ping ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 55 (2019-07-01), S. 780-783
    Online unknown
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    Radio frequency reliability studies of CMOS RF integrated circuits for ultra‐thin flexible packages
    Mitra, Dipankar ; Hamidi, S.B. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 56 (2020-03-01), S. 280-282
    Online unknown
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    Effects of asymmetric underlap spacers on nanoscale junctionless transistors and design of optimised CMOS amplifiers
    Roy, Debapriya ; Biswas, Abhijit
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-06-03), S. 510-518
    Online unknown
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    22 μW, 5.1 ps LSB, 5.5 ps RMS jitter Vernier time‐to‐digital converter in CMOS 65 nm for single photon avalanche diode array
    Carrier, S. ; Fontaine, R. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 56 (2020-04-01), S. 424-426
    Online unknown
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    Process compensated bipolar junction transistor‐based CMOS temperature sensor with a ±1.5°C (3σ) batch‐to‐batch inaccuracy
    Law, Man-Kay ; Mak, Pui-In ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 54 (2018-11-01), S. 1270-1272
    Online unknown
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    High‐isolation multi‐port millimetre‐wave CMOS dual‐band T/R switch with integrated band‐pass filtering function
    Um, Youngman ; Nguyen, Cam
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation, Jg. 11 (2017), S. 253-259
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    Short‐channel MOSFET for terahertz wave detection fabricated in 55 nm silicon CMOS process technology
    Sun, Penglin ; Shang, Dechun ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 55 (2019-12-01), S. 1357-1358
    Online unknown
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    10 GHz highly linear up‐conversion mixer in 65 nm CMOS
    Li, J. ; Gu, Q.J.
    In: Electronics Letters, Jg. 54 (2018-06-01), S. 804-806
    Online unknown
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    Capacitor‐reused CMOS temperature sensor with duty‐cycle‐modulated output and 0.38°C () inaccuracy
    Fang, Yun ; Shi, Zheng ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 54 (2018-05-01), S. 568-570
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    28 GHz common‐leg T/R IC in 65 nm CMOS technology
    Kim, J.W. ; Park, J. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 54 (2018-05-01), S. 616-618
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    CMOS integrated sensor circuit for temperature measurement based on 50 nm technology
    Sun, Yingying ; Liu, Jihong ; et al.
    In: The Journal of Engineering, Jg. 2017 (2017-12-01), S. 659-661
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    21.3 dBm 18.5 GHz‐BW 8‐way E‐band power amplifier in 28 nm high performance mobile CMOS
    Zhao, Dixian ; Reynaert, Patrick
    In: Electronics Letters, Jg. 53 (2017-09-01), S. 1310-1312
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Co-simulation results of a 60 GHz CMOS LNA integrated and packaged in gap-waveguide technology
    Gao, Hao ; Maaskant, Rob ; et al.
    2018
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Reduction of NEP variations for terahertz detectors using Schottky barrier diodes in CMOS
    Dae Yeon Kim ; Kenneth, K. O
    In: Electronics Letters, Jg. 53 (2017-05-01), S. 732-734
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    60 GHz low‐power LNA with high g m × R out transconductor stages in 65 nm CMOS
    Li, Zhiqun ; Wang, Zhigong ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 53 (2017-02-01), S. 279-281
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    60 GHz 5‐bit digital controlled phase shifter in a digital 40 nm CMOS technology without ultra‐thick metals
    B Bo Liu ; Ying, Kuangyuan ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 52 (2016-09-01), S. 1611-1613
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    2.4 GHz CMOS self‐biased power amplifier with embedded diode lineariser
    Chen, Xiaofei ; Ren, Zhixiong ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 51 (2015-09-01), S. 1501-1503
    Online unknown
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