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    ESD-induced oxide breakdown on self-protecting GG-nMOSFET in 0.1-μm CMOS technology
    SALMAN, Akram A ; GAUTHIER, Robert ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 3 (2003), Heft 3, S. 79-84
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    NMOSFET ESD self-protection strategy and underlying failure mechanism in advanced 0.13-μm CMOS technology
    SALMAN, Akram ; GAUTHIER, Robert ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 2 (2002), Heft 1, S. 2-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Physical and predictive models of ultrathin oxide reliability in CMOS devices and circuits
    STATHIS, James H
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 1 (2001), Heft 1, S. 43-59
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Hot carrier degradation and ESD in submicrometer CMOS technologies: How do they interact?
    GROESENEKEN, Guido V
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 1 (2001), Heft 1, S. 23-32
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The statistics of NBTI-induced VT and β mismatch shifts in pMOSFETs
    RAUCH, Stewart E
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 2 (2002), Heft 4, S. 89-93
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Charge-based capacitance measurements (CBCM) on MOS devices
    SELL, Bernhard ; AVELLAN, Alejandro ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 2 (2002), Heft 1, S. 9-12
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Depassivation of latent plasma damage in nMOSFETS
    CELLERE, Giorgio ; PANTISANO, Luigi ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 1 (2001), Heft 3, S. 144-149
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -