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    METU-DBL: a cost effective proton irradiation facility
    Karadöller, E. ; Uzun Duran, S. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 18, issue 06, page T06010 ; ISSN 1748-0221, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quadrupole magnet design, manufacturing and the acceptance tests for METU-defocusing beamline
    Demirköz, M.B. ; Avaroğlu, A. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 18, issue 06, page T06007 ; ISSN 1748-0221, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Undoped vertical dual-bilayer TFET with a super-steep sub-threshold swing: proposal and performance comparative analysis
    Anam, Aadil ; Amin, S. Intekhab ; et al.
    2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Undoped vertical dual-bilayer TFET with a super-steep sub-threshold swing: proposal and performance comparative analysis
    Anam, Aadil ; Amin, S Intekhab ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 38, issue 7, page 075005 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Identification of baby cry with Discrete Wavelet Transform, Mel Frequency Cepstral Coefficient and Principal Component Analysis
    Luhur Prasasti, Anggunmeka ; Novamizanti, Ledya ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 1367, issue 1, page 012061 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Tungsten Nitride Deposition Using Tungsten Hexafluoride Precursor for Via and Plug Metallization
    Hwang, Yeong-Hyeon ; Cho, Won-Ju ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 52, issue 10S, page 10MC07 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Role of Growth Rates and Buffer Layer Structures for Quality Improvement of Cubic GaN Grown on GaAs
    Ogawa, Masahiro ; Funato, Mitsuru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 39, issue 2A, page L69 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of Double-Buffer Layers and Its Application for the Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth of GaN
    Uchida, Kenji ; Nishida, Ken ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 37, issue 7R, page 3882 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improvement of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Si Controlling Radio Frequency Discharge Modes and Irradiation of Nitrogen Flux
    Ohachi, Tadashi ; Yamabe, Nobuhiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 50, issue 1S1, page 01AE01 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2011
    academicJournal
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    On the Core Behavior of Dislocations in the Covalent Semiconductors C, Si and Ge
    Masuda, Kin-ichi ; Kojima, Kenichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 22, issue 8R, page 1240 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 1983
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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