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    RD50-MPW: a series of monolithic High Voltage CMOS pixel chips with high granularity and towards high radiation tolerance
    Zhang, C. ; Pilsl, B. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 04, page C04059 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    AstroPix4 — a novel HV-CMOS sensor developed for space based experiments
    Striebig, N. ; Leys, R. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 04, page C04010 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Discussion of Mechanical Shock Test Stress for Ultra-large-scale CMOS Image Sensors
    Xiong, Yuanyuan ; Rui, Erming ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2694, issue 1, page 012028 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A prototype Radiation Energy Measuring Integrated Circuit with an asynchronous current-pulse reset block providing analog-to-digital conversion in 28 nm CMOS
    Kaczmarczyk, Piotr ; Kmon, Piotr
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 04, page C04056 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MightyPix at the LHCb Mighty Tracker — verification of an HV-CMOS pixel chip's digital readout
    Scherl, S. ; Striebig, N. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 04, page C04045 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Measurement of UKRI-MPW0 after irradiation: an HV-CMOS prototype for high radiation tolerance
    Zhang, C. ; Hammerich, J. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 03, page C03061 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Monolithic HV-CMOS sensors for a beam monitoring system of therapeutic ion beams
    Topko, B. ; Balzer, M. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 03, page C03043 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon flow stop frame for encapsulation of CMOS microsensor chips by wet anisotropic etching in KOH
    Dobroliubov, A ; Kakati, A ; et al.
    In: Engineering Research Express ; volume 6, issue 2, page 025002 ; ISSN 2631-8695, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Sub-50 mV power supply, recursive stacking body bias NAND gate for extremely low-voltage CMOS LSIs
    Sumi, Shintaro ; Sebe, Hikaru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 63, issue 3, page 03SP87 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Multichannel integrated circuit for time-based measurements in 28 nm CMOS
    Kadlubowski, L.A. ; Kmon, P.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 02, page C02004 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ultra-low power 10-bit 50–90 MSps SAR ADCs in 65 nm CMOS for multi-channel ASICs
    Firlej, Mirosław ; Fiutowski, Tomasz ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 01, page P01029 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Upgrade of Belle II vertex detector with CMOS pixel technology
    Schwickardi, M. ; Babeluk, M. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 01, page C01054 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Recent developments in the IGNITE project on front-end design in CMOS 28-nm technology
    Cadeddu, Sandro ; Cossu, Gian Matteo ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 01, page C01040 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    First measurements with monolithic active pixel test structures produced in a 65 nm CMOS process
    Buckland, M.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 02, page C02017 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Validation of the 65 nm TPSCo CMOS imaging technology for the ALICE ITS3
    Ferrero, C.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 19, issue 04, page C04043 ; ISSN 1748-0221, 2024
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design and optimization of CMOS layout structure for improved semiconductor device performance
    Huang, Peihao
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2649, issue 1, page 012040 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Contact engineering for organic CMOS circuits
    Chen, Quanhua ; Cao, Jiarong ; et al.
    In: Journal of Physics: Materials ; volume 7, issue 1, page 012002 ; ISSN 2515-7639, 2023
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Simulation and optimization of metal gate CMOS process and circuit by TCAD
    Tong, Yushang
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2634, issue 1, page 012011 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2023
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MALTA-Cz: a radiation hard full-size monolithic CMOS sensor with small electrodes on high-resistivity Czochralski substrate
    Pernegger, H. ; Allport, P. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation ; volume 18, issue 09, page P09018 ; ISSN 1748-0221, 2023
    academicJournal
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    Additive 3D photonic integration that is CMOS compatible
    Grabulosa, Adrià ; Moughames, Johnny ; et al.
    In: Nanotechnology ; volume 34, issue 32, page 322002 ; ISSN 0957-4484 1361-6528, 2023
    academicJournal
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