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    Lag and light-transfer characteristics of amorphous selenium photoconductive film with tellurium-doped layer
    Park, Wug-Dong ; Tanioka, Kenkichi
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 55, issue 7, page 071401 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2016
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Avalanche multiplication and impact ionization in amorphous selenium photoconductive target
    Park, Wug-Dong ; Tanioka, Kenkichi
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 53, issue 3, page 031401 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dependence of Thickness on Avalanche Characteristics of Te-Doped Amorphous Selenium Photoconductive Target
    Park, Wug-Dong ; Tanioka, Kenkichi
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 48, issue 4S, page 04C159 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Application of In-Situ Al-Flow Process for Triple-level Metallization
    Lee, Ki-Young ; Su-Cheon Lee, Su-Cheon Lee ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 35, issue 3R, page 1940 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 1996
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Avalanche Characteristics of the Te-Doped Amorphous Se Photoconductive Target for a Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Image Sensor
    Park, Wug-Dong ; Tanioka, Kenkichi
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 45, issue 3L, page L307 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Complementary Self-Biased Logics Based on Single-Electron Transistor (SET)/CMOS Hybrid Process
    Song, Ki-Whan ; Lee, Yong Kyu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 44, issue 4S, page 2618 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2005
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of the Silicidation Reaction Condition on the Gate Oxide Integrity in Ti-polycide Gate
    Lee, Nae-In ; Young-Wug Kim, Young-Wug Kim ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 33, issue 1S, page 672 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully Depleted SOI Complementary MOS Device with Raised Source/Drain for 90 nm Embedded Static RAM Technology
    Park, Chang Hyun ; Oh, Myung Hwan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 43, issue 4S, page 2128 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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