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    Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18 μm CMOS process
    Wu, Jianwei ; Yu, Zongguang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-12-01), S. 122403-122403
    Online unknown
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    Design of CMOS active pixels based on finger-shaped PPD
    Han, Liqiang ; Xu, Jiangtao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-10-01), S. 102301-102301
    Online unknown
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    A 0.1–1.5 GHz multi-octave quadruple-stacked CMOS power amplifier
    Zhang, Mingzhe ; Wu, Haifeng ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-06-01), S. 062401-62401
    Online unknown
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    CMOS analog and mixed-signal phase-locked loops: An overview
    Zhang, Zhao
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-11-01), S. 111402-111402
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    Energy-autonomous biosensing platform using supply-sensing CMOS integrated sensor and biofuel cell for next-generation healthcare Internet of Things
    Niitsu, Kiichi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-25), S. 1002A5
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    An 8–18 GHz power amplifier with novel gain fluctuation compensation technique in 65 nm CMOS
    Ye, Jiao ; Wang, Tao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-12-01), S. 125008-125008
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    CMOS-embedded high-power handling RF-MEMS tunable capacitor using quadruple series capacitor and slit with dielectric bridges structure
    Saito, Tomohiro ; Ikehashi, Tamio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-20), S. 1002B6
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Advanced features of layered-structure organic-photoconductive-film CMOS image sensor: Over 120 dB wide dynamic range function and photoelectric-conversion-controlled global shutter function
    Sato, Yoshiaki ; Sato, Yoshihiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-14), S. 1002B4
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    A 0.7–7 GHz wideband reconfigurable receiver RF front-end in CMOS
    Huang, Fengyi ; Zhang, Xuegang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-08-01), S. 085003-85003
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    SET analysis and radiation hardening techniques for CMOS LNA topologies
    J. del Pino ; San-Miguel-Montesdeoca, Mario ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 33 (2018-07-12), S. 085010-85010
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 190 mV start-up and 59.2% efficiency CMOS gate boosting voltage doubler charge pump in 0.18 µm standard CMOS process for energy harvesting
    Miyaji, Kousuke ; Yoshida, Minori
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-02-28), S. 04FF02
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    A maskless etching technique for fabrication of 3D MEMS structures in SOI CMOS devices
    Mansoor, Mohtashim ; Coull, John D. ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 28 (2018-05-09), S. 085013-85013
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Survey of key technologies on millimeter-wave CMOS integrated circuits
    Cai, Shuo ; Yu, Fei ; et al.
    In: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Jg. 351 (2018-05-01), S. 012011-12011
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An investigation of the DC and RF performance of InP DHBTs transferred to RF CMOS wafer substrate
    Wu, Lishu ; Cheng, Wei ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-04-18), S. 054004-54004
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Loss analysis and optimum design of a highly efficient and compact CMOS DC–DC converter with novel transistor layout using 60 nm multipillar-type vertical body channel MOSFET
    Endoh, Tetsuo ; Itoh, Kazuki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FR12
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    Design and analysis of high gain and low noise figure CMOS low noise amplifier for Q-band nano-sensor application
    Malarvizhi, S. ; Suganthi, K.
    In: Materials Research Express, Jg. 5 (2018-03-02), S. 034001-34001
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design trade-off between spatial resolution and power consumption in CMOS biosensor circuit based on millimeter-wave LC oscillator array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-25), S. 03EC02
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 40 GHz fully integrated circuit with a vector network analyzer and a coplanar-line-based detection area for circulating tumor cell analysis using 65 nm CMOS technology
    Matsunaga, Maya ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-10), S. 03EC01
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Theoretical analysis and simulation study of low-power CMOS electrochemical impedance spectroscopy biosensor in 55 nm deeply depleted channel technology for cell-state monitoring
    Niitsu, Kiichi ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-11-09), S. 01AG02
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    Frequency equation for the submicron CMOS ring oscillator using the first order characterization
    Ramesh, T. K. ; Koithyar, Aravinda
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-04-18), S. 055001-55001
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