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    Effect of organic amine alkali and inorganic alkali on benzotriazole removal during post Cu-CMP cleaning
    Tian, Siyu ; Wang, Qi ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-12-01), S. 126003-126003
    Online unknown
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    Micromachined air-gap structure MEMS acoustic sensor using reproducible high-speed lateral etching and CMP process
    Sang Choon Ko ; Won Ick Jang ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 16 (2006-08-29), S. 2071-2076
    Online unknown
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    Nanotopography Impact and Non-Prestonian Behavior of Ceria Slurry in Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Polishing (STI-CMP)
    Paik, Ungyu ; Park, Jea-Gun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-01-16), S. L217- (4S.)
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A novel compound cleaning solution for benzotriazole removal after copper CMP
    Chenwei, Wang ; Yuling, Liu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-10-01), S. 106001-106001
    Online unknown
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    Benzotriazole removal on post-Cu CMP cleaning
    Ming, Sun ; Jiying, Tang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015-06-01), S. 066001-66001
    Online unknown
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    Effect of three kinds of guanidinium salt on the properties of a novel low-abrasive alkaline slurry for barrier CMP
    Yuling, Liu ; Guodong, Chen ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014-11-01), S. 116003-116003
    Online unknown
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    Planarization properties of an alkaline slurry without an inhibitor on copper patterned wafer CMP
    Jianying, Tian ; Chenwei, Wang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012-11-01), S. 116001-116001
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Effect of guanidine hydrochloride on removal rate selectivity and wafer topography modification in barrier CMP
    Yuling, Liu ; Chenwei, Wang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014-03-01), S. 036002-36002
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dummy fill effect on CMP planarity
    Lan, Chen ; Zhigang, Li ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-10-01), S. 106003-106003
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of Dispersant Addition during Ceria Abrasive Milling Process on Light Point Defect (LPD) Formation after Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Polishing (STI-CMP)
    Paik, Ungyu ; Katoh, Takeo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005), S. L238
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A new cleaning process for the metallic contaminants on a post-CMP wafer's surface
    Baimei, Tan ; Chenwei, Wang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-10-01), S. 106004-106004
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Frictional and Removal Rate Studies of Silicon Dioxide and Silicon Nitride CMP Using Novel Cerium Dioxide Abrasive Slurries
    King, Deanna ; Zhuang, Yun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005), S. 30-30
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of Molecular Weight of Surfactant in Nano Ceria Slurry on Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Polishing (CMP)
    Park, Jea-Gun ; Katoh, Takeo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-07-23), S. L1060
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Amorphous Silicon-Carbon Alloy Prepared by the CMP (Controlled Plasma Magnetron) Method
    Kuwano, Yukinori ; Ninomiya, Kunimoto ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991), S. 7-7
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Mechanism of titanium–nitride chemical mechanical polishing*
    Wang, Weilei ; Feng, Daohuan ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 30 (2021-02-01), S. 028301-28301
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Selection of Surfactants for Hydrogen peroxide-oxalic acid Polishing Slurry in Chemical Mechanical Polishing of 304 Stainless Steel
    Jianxiu, Su ; Xiaojun, Cao ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 1681 (2020-11-01), S. 012013-12013
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Study on Dispersant of Hydrogen Peroxide-Oxalic Acid Polishing Slurry in Chemical Mechanical Polishing of 304 Stainless Steel
    Wang, Yongsheng ; Xu, Rui ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 1622 (2020-09-01), S. 012097-12097
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Preparation of Core-shell Magnetic Nanoparticles Carrier for Treatment of Emulsified Oil
    Ding, Yeli ; Zhang, Shaojun ; et al.
    In: IOP Conference Series: Earth and Environmental Science, Jg. 300 (2019-07-01), S. 052020-52020
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of Process Parameters on Friction Force and Material Removal in Oxide Chemical Mechanical Polishing
    Park, Boumyoung ; Lee, Hyunseop ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-12-19), S. 8771-8778
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Nanotopography Impact of Surfactant Concentration and Molecular Weight of Nano-ceria Slurry on Remaining Oxide Thickness Variation after Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Polishing
    Kanemoto, Manabu ; Park, Jin-Hyung ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-08-06), S. 5076-5079
    Online unknown
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