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    Novel Liquid Phase Epitaxy (LPE) Growth Method for Growing Large GaN Single Crystals: Introduction of the Flux Film Coated-Liquid Phase Epitaxy (FFC-LPE) Method
    Mori, Yusuke ; Omae, Kunimichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-08-01), S. L879- (3S.)
    Online unknown
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    Optical Property of GaN Single Crystals Grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
    Omae, Kunimichi ; Yoshimura, Masashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-01-09), S. L173- (3S.)
    Online unknown
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    GaIn As Quantum Dots (QD) grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
    Gorbatchev A Yu ; Elyukhin, V A ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 167 (2009-05-01), S. 012002-12002
    Online unknown
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    Quantum Dots obtained by LPE from under-saturated In-As liquid phases on GaAs substrates
    Prutskij, T. ; Ortiz, F. E. ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 274 (2011), S. 012115-12115
    Online unknown
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    LPE Lateral Overgrowth of GaP
    Nishinaga, Tatau ; Zhang, Suian
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-03-01), S. 545-545
    Online unknown
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    Donor Gettering of LPE (Liquid-Phase-Epitaxy) InGaAsP Layers in the Presence of Er
    Chen, En-Hsing ; Chin, Tsung-Shune ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-11-01), S. 2679-2679
    Online unknown
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    A novel technique for investigation of luminescence properties of Ga1-xInxP LPE layers with a small In content
    Mroziewicz, B ; Kaniewski, J ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 14 (1981-02-14), S. 127-134
    Online unknown
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    Lattice-Matched LPE Growth of In1-xGaxP1-yAsyLayers on (100) GaAs Substrates
    Matsunami, Hiroyuki ; Matsumura, Shigeo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 19 (1980-04-01), S. L207- (4S.)
    Online unknown
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    Luminescent Properties Variation toward Growth Direction in Nitrogen Doped GaPn-LPE Layer
    Beppu, Tatsuro
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 14 (1975-06-01), S. 761-768
    Online unknown
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    Effect of the Thermal Damage Introduced to GaAs Substrate during the GaAs, (AlGa)As LPE Process
    Horikoshi, Yoshiji ; Saito, Hideho
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 15 (1976-05-01), S. 761-768
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterisation of Mn-doped and nominally pure LPE GaxIn1-xAsyP1-y(y=2.1x) between y=0 and y=1 using photoluminescence and electrical measurements
    Hayes, J.R. ; Eaves, L ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 16 (1983-04-14), S. 679-686
    Online unknown
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    Photoluminescence studies of LPE AlxGa1-xSb
    Wada, Takao ; Usami, A ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 2 (1987-05-01), S. 318-320
    Online unknown
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    Influence of Phosphorus Evaporation from Melt on InGaP/GaAs LPE Growth
    Kobayashi, Masaya ; Yoshioka, Yasuhiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 23 (1984-09-01), S. L723
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    LPE Growth of In1-xGaxP0.96As0.04 on GaAs Substrate by Two-Phase Melt Method
    Kondo, Masahiko ; Tsushi, Akihito ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 24 (1985-05-01), S. 524-524
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    LPE Growth of In1-xGaxP1-zAsz (z ≦0.01) on (1 0 0) GaAs Substrates and Its Lattice Constants and Photoluminescence
    Mukai, Seiji ; Matsuzaki, Masatoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 20 (1981-02-01), S. 321-321
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    LPE Growth of In1-xGaxAs1-yPy on GaAs0.7P0.3
    Sakai, Shiro ; Fujii, Sadao ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 25 (1986), S. 75-75
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE Growth and Photoluminescence of In1-xGaxP1-yASy, on GaAs
    Suzuki, Akira ; Matsunami, Hiroyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 20 (1981), S. 211-211
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    LPE Growth and Luminescence of In1-xGaxPyAs1-y on (1, 0, 0) GaAs with Band-Gap Energy in Region of 1.569 eV≤Eg≤1.893 eV
    Matsuzaki, Masatoshi ; Mukai, Seiji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 19 (1980-09-01), S. L505
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    Auto-Doping Phenomena for the InGaAsP Active Layer in DH Structure Grown by LPE
    Hase, Nobuyasu ; Sasai, Yoichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 23 (1984-09-01), S. L700
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Growth of In0.5Ga0.5P on GaAs by LPE: The influence of Growth Temperature and Lattice Mismatch on Photoluminescence
    Cheng, K. Y. ; Chang, L. B. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 27 (1988-07-01), S. 1145-1145
    Online unknown
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