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    Strain effect on performance of multi-stacked gate-all-around CMOS inverters.
    Kim, Kihwan ; Lee, Ji Hwan ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-12-01), Heft 12, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Device and circuit level analysis of negative capacitance hybrid CMOS: a prospect for low power/low voltage applications.
    Bansal, Monika ; Kaur, Harsupreet
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020), Heft 1, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Design, fabrication and optimization of a CMOS compatible capacitive pressure sensor.
    Yu, Huiyang ; Yu, Xuke ; et al.
    In: Journal of Micromechanics & Microengineering, Jg. 29 (2019-02-01), Heft 2, S. 1-1
    academicJournal
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    Development of a CMOS MEMS pressure sensor with a mechanical force-displacement transduction structure.
    Cheng, Chao-Lin ; Chang, Heng-Chung ; et al.
    In: Journal of Micromechanics & Microengineering, Jg. 25 (2015-12-01), Heft 12, S. 1-1
    academicJournal
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    Ultra-energy-efficient analog-to-digital converters based on single-electron transistor/CMOS hybrid technology for biomedical applications.
    Lee, Jieun ; Choi, Changmin ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 24 (2009-11-02), Heft 11, S. 115007-115007
    Online academicJournal
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    Analytical base-collector depletion capacitance in vertical SiGe heterojunction bipolar transistors fabricated on CMOS-compatible silicon on insulator.
    Xiao, Xu ; He, Zhang ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 20 (2011), Heft 1, S. 018502-18502
    academicJournal
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    Modelling and extraction procedure for gate insulator and fringing gate capacitance components of an MIS structure.
    J C Tinoco ; A G Martinez-Lopez ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 31 (2016-07-01), Heft 7, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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