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190 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    The dielectric properties of skin damage and its correlation to free radical intensity caused by UVA/UVB radiation impact
    Faisal, M ; Juswono, U P ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2165, issue 1, page 012053 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Suppressing the efficiency droop in AlGaN-based UVB LEDs.
    Usman, Muhammad ; Malik, Shahzeb ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-05-21), Heft 21, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    High power UVB light emitting diodes with optimized n-AlGaN contact layers
    Knauer, Arne ; Kolbe, Tim ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft C, S. SCCC02
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Improved external quantum efficiency of 293 nm AlGaN UVB LED grown on an AlN template
    Khan, M. Ajmal ; Matsumoto, Takuma ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft A, S. SAAF01
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Impact of Mg level on lattice relaxation in a p-AlGaN hole source layer and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters.
    Khan, M Ajmal ; Bermundo, Juan Paolo ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-01-25), Heft 5, S. 1-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Temperature dependence of narrow-band UVB photoluminescence of silica–(Gd,Pr)PO<subscript>4</subscript> transparent glass-ceramic phosphors.
    Kajihara, Koichi ; Nakagawa, Shingo ; et al.
    In: Journal of Physics: Condensed Matter, Jg. 36 (2024-02-28), Heft 8, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Corrigendum: Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (2021 Nanotechnology 32 055702)
    Khan, M Ajmal ; Bermundo, Juan Paolo ; et al.
    In: Nanotechnology ; volume 32, issue 36, page 369501 ; ISSN 0957-4484 1361-6528, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Erratum: “Improved external quantum efficiency of 293 nm AlGaN UVB LED grown on an AlN template” [Jpn. J. Appl. Phys. 58, SAAF01 (2019)]
    Khan, M. Ajmal ; Matsumoto, Takuma ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 60, issue 6, page 069401 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Centimeter-scale laser lift-off of an AlGaN UVB laser diode structure grown on nano-patterned AlN
    Shojiki, Kanako ; Shimokawa, Moe ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 15 (2022-04-19), S. 051004-51004
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Temperature dependence of narrow-band UVB photoluminescence of silica–(Gd,Pr)PO 4 transparent glass-ceramic phosphors
    Kajihara, Koichi ; Nakagawa, Shingo ; et al.
    In: Journal of Physics: Condensed Matter ; volume 36, issue 8, page 085301 ; ISSN 0953-8984 1361-648X, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The dielectric properties of skin damage and its correlation to free radical intensity caused by UVA/UVB radiation impact
    Faisal, M ; U P Juswono ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 2165 (2022), S. 012053-12053
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    UVA and UVB light emitting diodes with Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>N quantum dot active regions covering the 305–335 nm range.
    Brault, J ; Khalfioui, M Al ; et al.
    In: Superconductor Science & Technology, Jg. 33 (2020-07-01), Heft 7, S. 1-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    UVA and UVB light emitting diodes with AlyGa1−yN quantum dot active regions covering the 305–335 nm range.
    Brault, J ; Khalfioui, M Al ; et al.
    In: Superconductor Science & Technology, Jg. 33 (2020-07-01), Heft 7, S. 1-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Corrigendum: Impact of Mg-level on lattice-relaxation in p-AlGaN hole source layer (HSL) and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters (2021 Nanotechnology 32 055702)
    Juan Paolo Bermundo ; Fujikawa, Sachie ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-06-17), S. 369501-369501
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Erratum: 'Improved external quantum efficiency of 293 nm AlGaN UVB LED grown on an AlN template' [Jpn. J. Appl. Phys. 58, SAAF01 (2019)]
    Hirayama, Hideki ; Matsumoto, Takuma ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-05-28), S. 069401-69401
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Impact of Mg level on lattice relaxation in a p-AlGaN hole source layer and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters
    Fujikawa, Sachie ; M. Ajmal Khan ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2020-11-11), S. 055702-55702
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Indium incorporation in quaternary In~xAl~yGa~1~−~x~−~yN for UVB-LEDs
    Enslin, Johannes ; Wernicke, Tim ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft C, S. SC1004
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    UVA and UVB light emitting diodes with AlyGa1-yN quantum dot active regions covering the 305-335 nm range
    Brault, Julien ; Al Khalfioui, M. ; et al.
    In: ISSN: 0268-1242, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MgZnO/SiO2/ZnO metal–semiconductor–metal dual-band UVA and UVB photodetector with different MgZnO thicknesses by RF magnetron sputter
    Chang, Shoou-Jinn ; Wang, Chun-Kai ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2019-12-12), S. SDDF04
    Online unknown
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Overcoming the current injection issue in the 310 nm band AlGaN UVB light-emitting diode
    Matsuura, Eriko ; Hirayama, Hideki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2019-11-21), S. SAAD01
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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