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    Si-Gate CMOS devices on a Si/CaF2/Si structure
    Sasaki, M. ; Katoh, Teruo ; et al.
    In: 1985 International Electron Devices Meeting, 1985
    Online unknown
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    3-Dimensional SOI/CMOS IC's fabricated by beam recrystallization
    Iwai, Takashi ; Nakano, Motoo ; et al.
    In: 1983 International Electron Devices Meeting, 1983
    Online unknown
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    ST-CMOS (Stacked Transistors CMOS): A double-poly-NMOS-compatible CMOS technology
    Demoulin, E. ; Colinge, Jean-Pierre
    In: 1981 International Electron Devices Meeting, 1981
    Online unknown
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    3-D SOI/CMOS
    Nakano, M.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    2 Micron merged bipolar-CMOS technology
    Tien, B. ; Alvarez, A.R. ; et al.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984
    Online unknown
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    C2L: A new high speed, high density bulk CMOS technology
    Stricker, R.E. ; Dingwall, A.G.F.
    In: 1976 International Electron Devices Meeting, 1976
    Online unknown
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    Surface induced latch-up in VLSI CMOS circuits
    Ulrich Dr Phil Schwabe ; Harter, J. ; et al.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982
    Online unknown
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    A versatile, high-performance, double-level-poly double-level-metal, 1.2-micron CMOS technology
    Yoshii, Y. ; Mauntel, R.W. ; et al.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986
    Online unknown
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    High speed CMOS technology for ASIC application
    Takao, S. ; Yoshida, K. ; et al.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    1.5 µm Gate CMOS operated at 77 K
    Hijiya, S. ; Oka, H. ; et al.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Submicron CMOS technologies for four mega bit dynamic RAM
    Ishikawa, M. ; Ozawa, O. ; et al.
    In: 1985 International Electron Devices Meeting, 1985
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A fully-self-aligned joint-gate CMOS technology
    Maby, E. W. ; Robinson, A.L. ; et al.
    In: 1983 International Electron Devices Meeting, 1983
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A high performance submicron CMOS process with self-aligned chan-stop and punch-through implants (Twin-Tub V)
    Cochran, W.T. ; Chen, M.-L. ; et al.
    In: 1986 International Electron Devices Meeting, 1986
    Online unknown
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Integrated high and low voltage CMOS technology
    Rumennik, V. ; Heald, D.L.
    In: 1982 International Electron Devices Meeting, 1982
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Advanced Hi-CMOS device technology
    Yasui, T. ; Mimato, O. ; et al.
    In: 1981 International Electron Devices Meeting, 1981
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS process for high-performance analog LSI
    Black, W.C. ; McCharles, R.H. ; et al.
    In: 1976 International Electron Devices Meeting, 1976
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A submicron dual buried layer twin well CMOS SEG process
    Borland, J.O. ; Manoliu, J.
    In: 1987 International Electron Devices Meeting, 1987
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Twin-tub CMOS - A technology for VLSI circuits
    Reutlinger, G.W. ; Payne, R.S. ; et al.
    In: 1980 International Electron Devices Meeting, 1980
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    SOI-CMOS 4K SRAM with high dose oxygen implanted substrate
    Blake, T.G.W. ; Mao, B.-Y. ; et al.
    In: 1984 International Electron Devices Meeting, 1984
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Substrate-fed CMOS memory device
    Iizuka, T.
    In: 1, 1978
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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