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    A CMOS image sensor for instrumental purposes: Historical survey of solid state image sensors
    Ando, Koshi
    In: Ōyō butsuri, Jg. 88 (2019), Heft 12, S. 785-790
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A Cu atom switch fabricated with an advanced CMOS technology
    Bai, Xu ; Sakamoto, Toshitsugu ; et al.
    In: Ōyō butsuri, Jg. 88 (2019), Heft 2, S. 115-123
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Plasma etching process for advanced CMOS and memory device fabrication
    Eriguchi, Koji ; Urabe, Keiichiro
    In: Ōyō butsuri, Jg. 87 (2018), Heft 12, S. 895-901
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Improving breakdown voltage for 120 V level up shifter by using vertical and lateral assisted depletion layers in 0.35 μm CMOS technology
    Ningaraju, Vivek ; Lin, Horng-Chih ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 59 (2020), Heft SG, S. SGGD15
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Adhesive wafer bonding for CMOS based lab-on-a-chip devices
    Karl, Werner J. ; Schikowski, Marc ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 59 (2020), Heft B, S. SBBD04
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Ultra-high sensitivity CMOS image sensor
    Kawahito, Shoji
    In: Ōyō butsuri, Jg. 85 (2016), Heft 7, S. 575-579
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    P-27 A Novel Single-Gated Strained CMOS Architecture: COSMOS : International conference on simulation of semiconductor processes and devices; SISPAD 2005
    Al-Ahmadi, A. ; Kaya, S.
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, 2005, S. 263-266
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    P-16 Modeling of Tunneling Currents for Highly Degraded CMOS Devices : International conference on simulation of semiconductor processes and devices; SISPAD 2005
    Entner, R. ; Gehring, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, 2005, S. 219-222
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    7-2 A Physics-Based TCAD Framework for the Noise Analysis of RF CMOS Circuits under the Large-Signal Operation : International conference on simulation of semiconductor processes and devices; SISPAD 2005
    Hong, S. M. ; Kim, R. ; et al.
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, 2005, S. 119-122
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    6-2 Three Dimensional CMOS Image Sensor Cell Simulation and Optimization : International conference on simulation of semiconductor processes and devices; SISPAD 2005
    Paik, K. H. ; Lee, S. H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, 2005, S. 103-106
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    2-5 Efficient Calculation of Quasi-Bound State Tunneling in CMOS Devices : International conference on simulation of semiconductor processes and devices; SISPAD 2005
    Karner, M. ; Gehring, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, 2005, S. 35-38
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    9:45 9B-4 Reliability of HfSiON as Gate Dielectric for Advanced CMOS Technology : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Wang, H. C. H. ; Tsai, C. W. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 170-173
    Konferenz
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    17:05 12A-5 Comprehensive Study on Layout Dependence of Soft Errors in CMOS Latch Circuits and Its Scaling Trend for 65 nm Technology Node and Beyond : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Fukui, H. ; Hamaguchi, M. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 222-225
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    11:45 10A-4 Performance Boost of Scaled Si PMOS through Novel SiGe Stressor for HP CMOS : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Chanemougame, D. ; Monfray, S. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 180-183
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    17:05 8A-5 Performance of Super-Critical Strained-Si Directly On Insulator (SC-SSOI) CMOS Based on High-Performance PD-SOI Technology : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Thean, A. V. Y. ; White, T. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 134-137
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    17:05 4A-5 Integration of Dual Metal Gate CMOS with TaSiN (NMOS) and Ru (PMOS) Gate Electrodes on HfO~2 Gate Dielectric : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Zhang, Z. B. ; Song, S. C. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 50-53
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    14:45 3B-4 Scaled 1T-Bulk Devices Built With CMOS 90nm Technology for Low-Cost eDRAM Applications : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Ranica, R. ; Villaret, A. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 38-41
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    14:45 3A-4 Investigation of CMOS Devices with Embedded SiGe Source/Drain on Hybrid Orientation Substrates : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Ouyang, Q. ; Yang, M. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 28-31
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    MEMS micro-bridge structure-based process platform fabricated with CMOS Al BEOL compatible process
    Kang, Xiaoxu ; Zhong, Xiaolan ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 58 (2019), Heft H, S. SHHH02
    serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    R-2: Will Planar CMOS End? When? Why? [Shunju] : 2005 symposium on VLSI technology: digest of technical papers
    Ishimaru, K. ; Rodder, M.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2005, S. 151-153
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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