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    10:30 22-1 A Fully-Integrated 900-MHz CMOS Wireless Receiver with On-Chip RF and IF Filters and 79-dB Image Rejection : VLSI circuits
    Guo, C. ; Lo, C. W. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 241-244
    Konferenz
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    11:20 22-3 Concurrent Dual-Band CMOS Low Noise Amplifiers and Receiver Architectures : VLSI circuits
    Hashemi, H. ; Hajimiri, A.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 247-250
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    11:20 20-3 A 0.9-muA Standby Current DSP Core Using Improved ABC-MT-CMOS with Charge Pump Circuit : VLSI circuits
    Notani, H. ; Koyama, M. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 221-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    9:20 18-3 Design and Characterization of Vertical Mesh Capacitors in Standard CMOS : VLSI circuits
    Christensen, K. T.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 201-204
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    15:55 16-2 A 200MHz 7th-order Equiripple Continuous-Time Filter by design of nonlinearity suppression in 0.25mum CMOS Process : VLSI circuits
    Morie, T. ; Fujiyama, H. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 175-178
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    16:20 16-3 A Micropower Log-Domain Filter Using Enhanced Lateral PNPs in a 0.25mum CMOS Process : VLSI circuits
    Krishnapura, N. ; Tsividis, Y.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 179-182
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    16:20 15-3 A Floating-Body Charge Monitor Circuit for Partially Depleted SOI CMOS : VLSI circuits
    Kuang, J. B. ; Saccamango, M. J. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 167-170
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    16:45 14-4 A 15-GHz Wireless Interconnect Implemented in a 0.18-mum CMOS Technology Using Integrated Transmitters, Receivers, and Antennas : VLSI circuits
    Floyd, B. A. ; Hung, C. M. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 155-158
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    16:10 8-2 A Temperature Stable CMOS Variable Gain Amplifier with 80-dB Linearly Controlled Gain Range : VLSI circuits
    Yamaji, T. ; Kanou, N. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 77-80
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    14:10 5-2 A Fully-Integrated CMOS Frequency Synthesizer with Charge-Averaging Charge Pump and Dual-Path Loop Filter for PCS- and Cellular-CDMA Wireless Systems : VLSI circuits
    Koo, Y. ; Huh, H. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 43-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    14:35 5-3 1-GHz and 2.8-GHz CMOS Injection-locked Ring Oscillator Prescalers : VLSI circuits
    Betancourt-Zamora, R. J. ; Verma, S. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 47-50
    Konferenz
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    11:50 2-4 A 2 GHz Merged CMOS LNA and Mixer for WCDMA : VLSI circuits
    Karimi-Sanjaani, A. ; Sjoland, H. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 19-22
    Konferenz
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    10:35 2-1 Full-CMOS 2.4GHz Wideband CDMA Transmitter and Receiver with Direct Conversion Mixers and DC-Offset Cancellation : VLSI circuits
    Lee, K. Y. ; Lee, S. W. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 7-10
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    11:25 2-3 A 0dB-IL, 2140+/-30 MHz Bandpass Filter Utilizing Q-Enhanced Spiral Inductors in Standard CMOS : VLSI circuits
    Soorapanth, T. ; Wong, S. S.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS, 2001, S. 15-18
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Advanced SOI-MOSFETs with Strained-Si Channel for High Speed CMOS - Electron/Hole Mobility Enhancement : VLSI technology
    Mizuno, T. ; Sugiyama, N. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2000, S. 210-213
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-Performance 80-nm Gate Length SOI-CMOS Technology with Copper and Very-Low-k Interconnects : VLSI technology
    Sukegawa, K. ; Yamaji, M. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2000, S. 186-189
    Konferenz
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    A Partially Depleted 1.8V SOI CMOS SRAM Technology Featuring a 3.77mum2 Cell : VLSI technology
    Cox, K. ; Scott, J. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2000, S. 170-173
    Konferenz
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    A 180nm Copper/Low-k CMOS Technology with Dual Gate Oxide Optimized for Low Power and Low Cost Consumer Wireless Applications : VLSI technology
    Yeap, G. C. F. ; Nkansah, F. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2000, S. 150-153
    Konferenz
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    Low-Leakage and Highly-Reliable 1.5 nm SiON Gate-Dielectric Using Radical Oxynitridation for Sub-0.1 mum CMOS : VLSI technology
    Togo, M. ; Watanabe, K. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2000, S. 116-119
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Characteristics of AL2O3 Gate Dielectric Prepared by Atomic Layer Deposition for Giga Scale CMOS DRAM Devices : VLSI technology
    Park, D. G. ; Cho, H. J. ; et al.
    In: SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2000, S. 46-49
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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