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    0.8 μm CMOS process compatible 60 V-100mΩ.mm2 power MOSFET on bonded SOI
    KAWAGUCHI, Y ; YAMAGUCHI, Y ; et al.
    In: Solid state devices and materials, Jg. 36 (1997), Heft 3B, S. 1513-1518
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Under field oxide dopant enhancement (UFDE) for CMOS and BiCMOS technology
    JONG HO, LEE ; YOUNG JUNE, PARK ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 12, S. L2292- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An application of the dry liftoff method by molybdenum oxide sublimation to CMOS isolation
    YAMAUCHI, N
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 7, S. 1138-1139
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An application of the dry liftoff method by molybdenum oxide sublimation to CMOS isolation
    YAMAUCHI, N
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 7, S. 1138-1139
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The most essential factor for high-speed, low-power 0.35 μm complementary metal-oxide-semiconductor circuits fabricated on separation-by-implanted-oxygen (SIMOX) substrates
    YOSHINO, A ; KUMAGAI, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 6699-6705
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Bipolar-complementary-metal-oxide-semiconductor (BiCMOS) technology with polysilicon self-aligned bipolar devices
    KWANG SOO, KIM ; KEE SOO, NAM ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 10, S. 2459-2465
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of gate microstructure on complementary metal-oxide-semiconductor transistor performance
    YU, B ; JU, D.-H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 9AB, S. L1150- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A study on bilateral latch-up self-triggering in complementary metal-oxide-semiconductor protection circuits
    HENG-SHENG, HUANG ; CHUN-YEN, CHANG ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 1A, S. 75-77
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Basic study on multiplexed superconducting quantum interference device for multichannel biomagnetometer
    KAZAMI, K ; KAWAI, J ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 8B, S. L1055- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of ultrashallow p+ profiles by spreading resistance measurements
    MINONDO, M ; ROCHE, D ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 5A, S. 2439-2443
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-line monitoring of some planarization processes
    TISSIER, A ; TEISSIER, J. F ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11B, S. 3178-3181
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Field-induction-drain thin-film transistors for liquid-crystal display applications
    TANAKA, K ; SUYAMA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11B, S. 3302-3307
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of 0.1 μm complementary metal-oxide-semiconductor devices
    YOSHIMURA, T ; AOKI, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11B, S. 3277-3281
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of tungsten polycidation on the hot-carrier degradation in buried-channel LDD p-MOSFET's
    ANG, D. S ; LING, C. H
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 12A, S. L1572- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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