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    Influence of growth temperature on the magnetic and optical properties of liquid-phase-epitaxial(LPE)-grown lanthanum- and gallium-substituted yttrium iron garnet ((La, Ga):YIG) films and their application to waveguides
    SUGIMOTO, N ; TATE, A ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 5A, S. 1372-1377
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Donor gettering of LPE (liquid-phase-epitaxy)InGaAsP layers in the presence of Er
    MENG-CHYI, WU ; EN-HSING, CHEN ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11A, S. 2679-2682
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LPE lateral overgrowth of GaP
    ZHANG, S ; NISHINAGA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 3, S. 545-550
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Si LPE lateral overgrowth from a ridge seed
    SUZUKI, Y ; NISHINAGA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 12, S. 2685-2689
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LPE Ga1-xInxSb multigrading layers with cut-off wavelength up to 4.71 μm (x=0.75)
    XIUYING, G ; OKITSU, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 4, S. 1016-1017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of interface instability in InGaAsP LPE growth on GaAs by Fourier analysis
    HIRAMATSU, K ; TANAKA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 7, S. 822-827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Preparation of high-Tc Bi-Sr-Ca-Cu-O films on MgO substrates by the liquid phase epitaxial (LPE) method
    TAKEYA, H ; TAKEI, H
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 28 (1989), Heft 2, S. L229- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of contamination layer of InP during LPE process by synchrotron radiation-excited X-ray fluorescence
    IIDA, A ; SAKURAI, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 10, S. L1825- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-purity LPE growth of InP by Co addition to an In-P melt
    KONDO, S ; AMAMO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 12, S. 1997-2001
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Growth of In02.5Ga0.5P on GaAs by LPE: the influence of growth temperature and lattice mismatch on photoluminescence
    CHANG, L. B ; CHENG, K. Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 7, S. 1145-1150
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Epitaxial lateral overgrowth of GaAs by LPE
    NISHINAGA, T ; NAKANO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 6, S. L964- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Photoluminescence of InGaP/GaAs (111) LPE layers with elastic strain due to lattice mismatch
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 893-896
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Narrow photoluminescence spectra in InGaAsP/GaAs (001) LPE layers grown in the immiscible region
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 7, S. L1085- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Crosshatch pattern on InGaAsP layers grown on GaAs0.7P0.3 substrate by LPE
    FUJII, S ; SUSAWA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 1, S. 112-116
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    LPE growth of In1-xGaxAs1-yPy on GaAs0.7P0.3
    FUJII, S ; SAKAI, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. 75-78
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    LPE growth of In1-xGaxP0,96As0,04 on GaAs substrate by two-phase melt method
    SHIRAKATA, S ; KONDO, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 5, S. 524-529
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth of lattice-matched InGaAsP on GaAs0.69P031 substrates and low threshold current density operation of visible InGaAsP DH lasers
    FUJIMOTO, A ; WATANABE, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 8, S. L653- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analysis of compositional variation at initial transient time in LPE growth of InGaAsP/GaAs system
    HIRAMATSU, K ; TANAKA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 8, S. 1030-1035
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A study on LPE growth of In1-xGaxP1-yAsy(y~0) on (100)GaAs substrate
    KONDO, M ; SHIRAKATA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 7, S. 806-811
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    LPE growth of CuGa1-xInxS2 on ZnSe substrate using a mixture of CuGaS2 and CuInS2 as a solute
    TAKENOSHITA, H ; NAKAU, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 23 (1984), Heft 4, S. 389-396
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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