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    1.8kbps MBE-LPC Vocoder Implemented by Fixed-Point DSP
    Li, Y. m. ; Chen, H. y. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 21 (2000), Heft 8, S. 803-809
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Influence of Growth Rate and Substrate Temperature on Self-Organized In~xGa~1~-~xAs/GaAs Quantum Dots Grown by MBE
    Yu, L. ; Zeng, Y. p. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 21 (2000), Heft 7, S. 652-656
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Performance Comparison of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors Grown by MOCVD and MBE
    Li, N. ; Lu, W. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 21 (2000), Heft 5, S. 441-444
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    InAs Thin Film Hall Elements Grown by MBE
    Zhou, H. ; Zeng, Y. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 20 (1999), Heft 10, S. 873-876
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of N-Ion Implanting MBE Hg~0~.~6~8Cd~0~.~3~2Te Epilayers by Using Raman Scattering and Far-Infrared Transmission Spectra
    Ji, R. ; Li, B. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 20 (1999), Heft 7, S. 572-576
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Study of Dislocation Density in MBE HgCdTe Epilayers
    Yu, M. ; Yang, J. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 20 (1999), Heft 5, S. 378-382
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Growth of GeSi/Si p-n Heterojunction Diode Materials by Gas-Source MBE
    Liu, X. ; Wang, Y. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 20 (1999), Heft 4, S. 287-291
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High Power Conversion Efficiency InGaAs/GaAs/AlGaAs Strained Layer Quantum Well Lasers Grown by MBE
    Xu, Z. ; Yang, G. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 20 (1999), Heft 3, S. 199-204
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Electron Microscopy Analysis of GaN/GaAs Cubic Heterostructure Grown by MBE
    Han, P. ; Yang, H. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 20 (1999), Heft 1, S. 61-65
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    PL Characterizations of GaAs Ridge-QWRs Structures Grown by MBE on Nonplanar Substrates
    Niu, Z. ; Yuan, Z. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 19 (1998), Heft 11, S. 876-879
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Transport Studies of InAs Thin Films Grown on GaAs by MBE
    Zhou, H. ; Dong, J. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS -CHINESE EDITION-, Jg. 19 (1998), Heft 9, S. 646-649
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth of Si/SiO~2 Superlattices in MBE System and Its Luminescence
    Lin, F. ; Sheng, C. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 19 (1998), Heft 8, S. 564-567
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effects of Atomic Hydrogen on Surface Morphology of GaAs Grown by MBE on High Index Substrates
    Niu, Z. ; Noetzel, R. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 19 (1998), Heft 5, S. 322-331
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    MBE Growth and Lateral Carrier Confinement Characterization of Triangular-Shaped Dot-Like Structure
    Niu, Z. ; Zhou, Z. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 19 (1998), Heft 4, S. 311-315
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Band Edge Quadratic Electro-Optical Effect and Photorefractive Effect of Low Temperature-Growth MBE GaAs
    Zhou, K. ; Li, J. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 18 (1997), Heft 9, S. 654-659
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Calculating Ge Distribution in Si~1~-~xGe~x/Si MQW Structure Grown by MBE
    Si, J. ; Yang, Q. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 18 (1997), Heft 8, S. 567-571
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Study of Transient Surface Phase Transition on GaAs (100) During MBE Growing
    Liu, X. ; Lu, W. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 18 (1997), Heft 6, S. 411-415
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    MBE Growth Mechanism of GaAs Ridge-QWR Structures On Nonplanar Substrates
    Niu, Z. ; Zhou, Z. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 17 (1996), Heft 3, S. 230-234
    serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Zn~1~-~xCd~xSe/ZnSe Superlattice Grown by MBE
    Ye, H. ; Chen, Y. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 17 (1996), Heft 1, S. 64-69
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Impurity Compensation Effects on Lightly Si-Doped GaAs Grown by MBE
    Niu, Z. ; Zhou, Z. ; et al.
    In: CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, Jg. 16 (1995), Heft 12, S. 900-903
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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