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    The piezoelectronic transistor: A nanoactuator-based post-CMOS digital switch with high speed and low power : Thin-film piezoelectric MEMS
    NEWNS, D. M ; ELMEGREEN, B. G ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 37 (2012), Heft 11, S. 1071-1076
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Surface Defects and Passivation of Ge and III―V Interfaces : Ultimate scaling of CMOS logic devices with GE and III-V materials
    HOUSSA, Michel ; CHAGAROV, Evgueni ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 34 (2009), Heft 7, S. 504-513
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    InGaAs Metal Oxide Semiconductor Devices with Ga2O3(Gd2O3) High-κ Dielectrics for Science and Technology beyond Si CMOS : Ultimate scaling of CMOS logic devices with GE and III-V materials
    HONG, M ; KWO, J ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 34 (2009), Heft 7, S. 514-521
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Source and Drain Contacts for Germanium and III―V FETs for Digital Logic : Ultimate scaling of CMOS logic devices with GE and III-V materials
    DIMOULAS, Athanasios ; TORIUMI, Akira ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 34 (2009), Heft 7, S. 522-529
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On the Genesis of Nuclei and Phase Separation on an Atomic Scale : Ultimate scaling of CMOS logic devices with GE and III-V materials
    SEIDMAN, David N
    In: MRS bulletin, Jg. 34 (2009), Heft 7, S. 537-542
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Compound Semiconductors for Low-Power p-Channel Field-Effect Transistors : Ultimate scaling of CMOS logic devices with GE and III-V materials
    BENNETT, Brian R ; ANCONA, Mario G ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 34 (2009), Heft 7, S. 530-536
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Atomic Layer Deposition of Dielectrics on Ge and III-V Materials for Ultrahigh Performance Transistors : Ultimate scaling of CMOS logic devices with GE and III-V materials
    WALLACE, Robert M ; MCLNTYRE, Paul C ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 34 (2009), Heft 7, S. 493-503
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Nanoscale Manufacturing Enabled by Imprint Lithography
    SREENIVASAN, S. V
    In: Nanostructured Materials in Information Storage, Jg. 33 (2008), Heft 9, S. 854-863
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Electrochemical metallization cells-blending nanoionics into nanoelectronics : RESISTIVE SWITCHING PHENOMENA IN THIN FILMS: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS
    WEI, LU ; DOO SEOK, JEONG ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 37 (2012), Heft 2, S. 124-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Ultrananocrystalline and Nanocrystalline Diamond Thin Films for MEMS/NEMS Applications : Beyond silicon: Carbon-based nanotechnology
    SUMANT, Anirudha V ; AUCIELLO, Orlando ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 35 (2010), Heft 4, S. 281-288
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Graphene: Materially Better Carbon : Beyond silicon: Carbon-based nanotechnology
    FUHRER, Michael S ; CHUN NING, LAU ; et al.
    In: MRS bulletin, Jg. 35 (2010), Heft 4, S. 289-295
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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